[發明專利]半導體器件有效
| 申請號： | 201010288977.X | 申請日： | 2010-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN102035533A | 公開（公告）日： | 2011-04-27 |
| 發明（設計）人： | 舛岡富士雄;中村廣記 | 申請（專利權）人： | 日本優尼山帝斯電子株式會社 |
| 主分類號： | H03K19/0175 | 分類號： | H03K19/0175;H01L27/02;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 鄭小軍;馮志云 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件，其特征在于，具備第1晶體管與第2晶體管，且通過所述第1及第2晶體管發揮作為反向器的功能；
所述第1晶體管包括以下構成：
島狀半導體層；
第1柵極絕緣膜，用以包圍所述島狀半導體層周圍；
柵極電極，用以包圍所述第1柵極絕緣膜周圍；
第1導電型上部高濃度半導體層，形成于所述島狀半導體層的上方部分；及
第1導電型下部高濃度半導體層，形成于所述島狀半導體層的下方部分；
所述第2晶體管包括以下構成：
所述柵極電極；
第2柵極絕緣膜，用以包圍所述柵極電極周圍的至少一部分；
半導體層，與所述第2柵極絕緣膜周圍的至少一部分相鄰接；
第2導電型上部高濃度半導體層，形成于所述半導體層的上方部分，具有與所述第1導電型上部高濃度半導體層相反的導電型；及
第2導電型下部高濃度半導體層，形成于所述半導體層的下方部分，具有與所述第1導電型下部高濃度半導體層相反的導電型；
還具備第1接觸部，用以將所述第1晶體管中的所述第1導電型上部高濃度半導體層、與所述第2晶體管中的所述第2導電型上部高濃度半導體層予以彼此電性連接。
2.一種半導體器件，其特征在于，具備第1晶體管與第2晶體管，且通過所述第1及第2晶體管發揮作為反向器的功能；
所述第1晶體管包括以下構成：
島狀半導體層；
第1柵極絕緣膜，用以包圍所述島狀半導體層周圍；
柵極電極，用以包圍所述第1柵極絕緣膜周圍；
第1導電型上部高濃度半導體層，形成于所述島狀半導體層的上方部分；及
第1導電型下部高濃度半導體層，形成于所述島狀半導體層的下方部分；
所述第2晶體管包括以下構成：
所述柵極電極；
柵極絕緣膜，用以包圍所述柵極電極周圍的至少一部分；
弧狀半導體層，與所述柵極絕緣膜周圍的一部分相鄰接；
第2導電型上部高濃度半導體層，形成于所述弧狀半導體層的上方部分，具有與所述第1導電型上部高濃度半導體層相反的導電型；及
第2導電型下部高濃度半導體層，形成于所述弧狀半導體層的下方部分，具有與所述第1導電型下部高濃度半導體層相反的導電型；
還具備第1接觸部，用以將所述第1晶體管中的所述第1導電型上部高濃度半導體層、與所述第2晶體管中的所述第2導電型上部高濃度半導體層予以彼此電性連接。
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