[發明專利]清洗組成物

有效

• 申請號: 201010288941.1
• 申請日: 2010-09-19
• 公開（公告）號: CN102399650A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 張松源;申博元;蔡文財;陸明輝;詹政勳
• 申請（專利權）人: 盟智科技股份有限公司
• 主分類號: C11D7/32
• 分類號: C11D7/32;C11D7/36;C11D7/26;C11D10/02
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

技術領域

本發明涉及一種半導體制程用的組成物，尤其涉及一種用化學機械研磨制程后的清洗組成物。

背景技術

在超大規模集成電路(VLSI)制程中，化學機械研磨制程(chemicalmechanical?polishing，簡稱：CMP)可提供晶圓表面全面性的平坦化(globalplanarization)，尤其當半導體制程進入亞微米(sub-micron)領域后，化學機械研磨法更是一項不可或缺的制程技術。

在衡量化學機械研磨制程的表現的所有項目中，缺陷的存在與否為重要項目之一。化學機械研磨制程中所產生的缺陷包括有機殘留物、小顆粒、微刮痕及腐蝕等。其中，有機殘留物的起因為研漿的化學組成的作用。研漿的成分有時會與金屬層交互作用而在研磨墊或工具表面留下殘留物或污痕等污染物。若這些污染物沒有清洗干凈，將會使得研磨墊的效能降低，而降低膜層移除率，進而影響到膜層移除率的均一性，更甚者會縮短研磨墊的壽命。

舉例來說，在研磨銅金屬或阻障層的步驟之后，常會在晶圓及研磨墊上留下苯駢三氮唑(BTA，benzotriazole)殘留物。此殘留物很難移除，其會影響元件的電性效能且會縮短研磨墊的壽命。

因此，為去除進行化學機械研磨制程后產生的污染物，于化學機械研磨后必須加入一清洗步驟。目前，集成電路制造工廠中是使用酸性或中性的清洗液，并利用刷洗、噴洗或超音波清洗等方式，以達到去除晶圓表面的污染物的效果。然而，酸性或中性的清洗液會過度移除晶圓上的金屬導線，而造成晶圓表面的粗糙度增加。此外，上述清洗液會使得研磨墊的再利用性降低。

由于上述現有的清洗方式并無法有效地移除污染物，且不能有效地改良經化學機械研磨后的晶圓表面的性質。因此，業界仍積極尋求一種可有效清除晶圓表面經化學機械研磨后殘留污染物的清洗方法，且能維持晶圓表面的平坦度，同時更具經濟效益的化學機械研磨后的清洗。

發明內容

本發明提供一種清洗組成物，能有效地移除進行化學機械研磨制程后所產生的殘留物。

本發明提出一種清洗組成物，包括多胺基羧酸鹽(polyaminocarboxylic?salt)、酸及水。多胺基羧酸鹽的含量為0.01重量％至0.5重量％。酸的含量為0.01重量％至0.5重量％。其中，清洗組成物的剩余部分為水。

依照本發明的一實施例所述，在上述的清洗組成物中，多胺基羧酸鹽為選自乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetraacetic?acid)、二乙烯三胺五乙酸(diethylenetriaminepentatacetic?acid)、三甘胺酸nitrilotriacetic?acid、N-羥乙基乙二胺三乙酸(N-(hydroxyethyl)-ethylenediaminetriacetic?acid)、羥乙基亞胺基二乙酸(hydroxyethyliminodiacetic?acid)的堿金屬鹽及銨鹽(ammonium?salt)中的至少一者。

依照本發明的一實施例所述，在上述的清洗組成物中，酸為膦羧酸(phosphonic?carboxylic?acid)及羧酸(carboxylic?acid)中的至少一者。