[發明專利]一種用于MOA氧化鋅電阻片的制備方法

有效

• 申請號: 201010288606.1
• 申請日: 2010-09-21
• 公開（公告）號: CN101950648A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: 胡小定;謝清云;蒙小記;李剛
• 申請（專利權）人: 中國西電電氣股份有限公司
• 主分類號: H01C17/00
• 分類號: H01C17/00;H01C7/12
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 汪人和

1.一種用于MOA氧化鋅電阻片的制備方法，其特征在于，該方法包括下述步驟：

1)按照傳統陶瓷的工藝方法進行配料→混合→造粒→含水→成型→排結合劑→預燒→燒成，制備出ZnO電阻片半成品；

2)將上述燒成后的ZnO電阻片半成品用四道平磨機進行磨片、超聲波清洗10～15分鐘；

3)將經磨片、清洗后的ZnO電阻片半成品進行高溫處理；

4)將經上述高溫處理后的ZnO電阻片進行低溫熱處理→噴鋁→涂絕緣漆→固化，即完成MOA氧化鋅電阻片的制備。

2.根據權利要求1所述的一種用于MOA氧化鋅電阻片的制備方法，其特征在于，所述ZnO電阻片半成品進行高溫處理的工藝步驟如下：

1)將清洗干凈ZnO電阻片裝在匣缽中，并在各層和底層ZnO電阻片之間放置本體墊料，并將該ZnO電阻片密封在匣缽中；

2)將匣缽置于高溫隧道爐中于850～1050℃保溫2～4小時；

3)將高溫處理后的ZnO電阻片自然冷卻至室溫后，進行下段低溫熱處理工序。

3.根據權利要求2所述的一種用于MOA氧化鋅電阻片的制備方法，其特征在于，所述墊料層墊為30～40目、厚度為0.2-0.5mm的本體墊料；墊料底層墊料為30～40目、厚度為5～7mm的本體墊料。

4.根據權利要求2所述的一種用于MOA氧化鋅電阻片的制備方法，其特征在于，所述高溫隧道爐升溫速率為70-100℃/小時，降溫速率為50-70℃/小時。