[發(fā)明專利]電子束和酸洗提純多晶硅的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010288512.4 | 申請日： | 2010-09-13 |
| 公開（公告）號： | CN101935041A | 公開（公告）日： | 2011-01-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 戰(zhàn)麗姝;董偉;譚毅;李國斌 | 申請（專利權(quán)）人： | 大連隆田科技有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大連東方專利代理有限責(zé)任公司 21212 | 代理人： | 陳紅燕 |
| 地址： | 116025 遼寧省大*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電子束 酸洗 提純 多晶 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種電子束和酸洗提純多晶硅的方法，包括如下步驟：
(1)電子束熔煉硅料去除硅中揮發(fā)性雜質(zhì)磷；
(2)除磷后的液態(tài)硅快速凝固形成硅錠，所述硅錠中形成細(xì)小的晶粒，同時金屬雜質(zhì)在所述晶粒的晶界處富集；
(3)將所述硅錠沿晶界破碎，得到硅粉；
(4)酸洗去除金屬雜質(zhì)，得到磷和金屬雜質(zhì)含量較低的硅錠，即磷含量低于0.00004％，金屬雜質(zhì)總含量低于0.0005％的硅粉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：
所述步驟(1)中，根據(jù)硅料質(zhì)量及其中磷的含量，電子束熔煉的真空度為8.0×10-3Pa～1.2×10-2Pa，電子束束流采用500-700mA，使硅料全部熔化，并保持束流熔煉20-40分鐘；
所述步驟(2)中，通過關(guān)閉電子束流，束流快速降低為0mA，硅熔液將快速凝固，形成很多細(xì)小的晶粒；
所述步驟(3)中，所述硅粉的粒度為50-150μm；
所述步驟(4)中，所述酸洗包括先后使用HCl酸和HF酸分別清洗4-7h，再用去離子水清洗至溶液呈中性。
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