[發明專利]光電轉換裝置和使用光電轉換裝置的成像系統

有效

• 申請號: 201010288327.5
• 申請日: 2010-09-21
• 公開（公告）號: CN102034837A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 川端康博;高田英明
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H04N5/335;H04N5/374
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 楊小明

1.一種光電轉換裝置，包括：

基板；

布置在所述基板上的多個光電轉換元件；和

布置在所述基板上的用于傳送由光電轉換元件產生的信號電荷的晶體管，其中，

所述多個光電轉換元件包含第一光電轉換元件、與第一光電轉換元件相鄰的第二光電轉換元件、以及與第一光電轉換元件相鄰的第三光電轉換元件，并且，

具有第一寬度的第一區域被布置在第一光電轉換元件和第二光電轉換元件之間，

具有比第一寬度窄的第二寬度的第二區域被布置在第一光電轉換元件和第三光電轉換元件之間，

具有第一導電類型以使得信號電荷是少數載流子并且具有第三寬度的第一半導體區域被布置在第一區域中，

具有第一導電類型并且具有比第三寬度窄的第四寬度的第二半導體區域被布置在第二區域中，并且，

具有比第一區域低的關于信號電荷的電勢的第三區域被布置在第一區域中。

2.根據權利要求1的光電轉換裝置，其中，

具有第一導電類型并具有比第四寬度窄的第五寬度的第三半導體區域被布置在第三區域中。

3.根據權利要求1的光電轉換裝置，其中，

具有第一導電類型并且具有比第二半導體區域的雜質濃度低的雜質濃度的第三半導體區域被布置在第三區域中。

4.根據權利要求1的光電轉換裝置，其中，

具有第一導電類型的第三半導體區域以比第二半導體區域的深度淺的深度被布置在第三區域中。

5.根據權利要求1的光電轉換裝置，其中，

具有第一導電類型、具有比第四寬度窄的第五寬度、并且具有比第二半導體區域的雜質濃度低的雜質濃度的第三半導體區域被布置在第三區域中。

6.一種成像系統，包括：

根據權利要求1的光電轉換裝置；和

用于處理從所述光電轉換裝置輸出的信號的信號處理電路。