[發明專利]一種結構最簡的GPTC過電流保護電路

無效

• 申請號: 201010288163.6
• 申請日: 2010-09-21
• 公開（公告）號: CN102412549A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 付云鵬;劉蓓珍;胡方
• 申請（專利權）人: 付云鵬;劉蓓珍;胡方
• 主分類號: H02H3/08
• 分類號: H02H3/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種由半導體集成工藝制造的GPTC過電流保護電路，其結構僅由限流電阻R、PN結組合D_E和N溝道增強型場效應晶體管(N-MOS)T三者組成。其特征是：限流電阻R與PN結組合D_E相串聯，構成“溫度采樣”支路，并由限流電阻R設定保護溫度。

被保護的用戶負載R_L與N-MOS相串聯，構成“負載控制”支路，為用戶負載R_L提供額定的功率輸出。其中，N-MOS的工作狀態轉換由溫度采樣信號設定與控制，用以實現對過電流的定溫保護。

2.根據權力要求1所述的過電流保護電路，其特征是：工作電壓E由直流(DC)供電，因產品系列不同，工作電壓E可從3.3V調整到250V。

3.根據權力要求1所述的過電流保護電路，其特征是：溫度采樣支路由限流電阻R與PN結組合D_E的串聯構成，溫度采樣信號可從PN結組合D_E的正極取出，也可從限流電阻R上的某一分壓點取出。

4.根據權力要求1所述的過電流保護電路，其特征是：在溫度采樣支路中，限流電阻R與PN結組合D_E兩者的相互位置可以互相調換。

5.根據權力要求1所述的過電流保護電路，其特征是：PN結組合D_E由n個PN結串聯構成，n的個數取決于電源電壓E與(或)保護溫度的高低。

6.根據權力要求1所述的過電流保護電路，其特征是：在溫度采樣支路中，PN結組合D_E也可由反向PN結取代。

7.根據權力要求1所述的過電流保護電路，其特征是：PN結組合D_E也可用正溫度系數的測溫元件取代。為實現過電流保護，其相應的場效應晶體管除采用N溝道增強型外，還可采用N溝道耗盡型、P溝道增強型、P溝道耗盡型場效應晶體管。

8.根據權力要求1所述的過電流保護電路，其特征是：過電流保護的本質是對過電流引起的溫升進行控制，該過電流保護電路可用于過電流保護，同時也可用于溫度控制。