[發(fā)明專利]傳輸模塊壓力平衡設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010288077.5 | 申請日： | 2010-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN102403250A | 公開（公告）日： | 2012-04-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 許亮 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 董巍;顧珊 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 傳輸 模塊 壓力 平衡 設(shè)備 | ||
1.一種用于半導(dǎo)體制造的傳輸模塊壓力平衡設(shè)備，包括依次連通的氣動(dòng)閥、調(diào)壓閥和單向閥，其中所述氣動(dòng)閥與大氣相通，所述氣動(dòng)閥與所述調(diào)壓閥連接，所述調(diào)壓閥與所述單向閥連接，所述單向閥通過承載室上的備用接口與所述承載室連接。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述氣動(dòng)閥用于控制大氣流過所述傳輸模塊壓力平衡設(shè)備。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述調(diào)壓閥用于控制所流過的大氣流量。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，流過所述調(diào)壓閥的大氣量占流過所述氣動(dòng)閥的全部大氣量的百分比大于等于0％且小于等于100％。
5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述單向閥對流過的其內(nèi)部的氣體進(jìn)行過濾。
6.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，流過所述調(diào)壓閥的大氣量占流過所述氣動(dòng)閥的全部大氣量的百分比根據(jù)承載室內(nèi)的氣壓和外界氣壓的實(shí)際氣壓差的增加而增加。
7.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，流過所述調(diào)壓閥的大氣量占流過所述氣動(dòng)閥的全部大氣量的百分比根據(jù)承載室內(nèi)的氣壓和外界氣壓的實(shí)際氣壓差的減少而減少。
8.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，流過所述調(diào)壓閥的大氣量占流過所述氣動(dòng)閥的全部大氣量的百分比根據(jù)所述傳輸模塊壓力平衡設(shè)備中的連接管道的橫截面面積的增加而減少。
9.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，流過所述調(diào)壓閥的大氣量占流過所述氣動(dòng)閥的全部大氣量的百分比根據(jù)所述傳輸模塊壓力平衡設(shè)備中的連接管道的橫截面面積的減少而增加。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
