[發(fā)明專利]光刻裝置以及器件制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010287946.2 | 申請日: | 2004-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN101950131A | 公開(公告)日: | 2011-01-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | B·斯特里克;A·T·A·M·德克森;J·洛夫;K·西蒙;A·斯特拉艾杰 | 申請(專利權(quán))人: | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
| 地址: | 荷蘭維*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光刻 裝置 以及 器件 制造 方法 | ||
1.一種光刻裝置,其包括:
支承結(jié)構(gòu),構(gòu)造成支承構(gòu)圖裝置,該構(gòu)圖裝置能夠把圖案賦予輻射光束的橫截面,以形成圖案化的輻射光束;
基底臺,構(gòu)造成保持基底;
投影系統(tǒng),構(gòu)造成將圖案化的輻射光束投影到基底靶部;和
液體供給系統(tǒng),用于至少部分地對所述投影系統(tǒng)最后元件和所述基底之間的空間填充液體,其特征在于,還包括
投影系統(tǒng)補償器,構(gòu)造成根據(jù)基底上所形成的圖案畸變調(diào)整所述投影系統(tǒng)的光學性質(zhì),該畸變是由于所述投影系統(tǒng)最后元件、所述基底和所述液體至少之一的溫度不同于靶部溫度造成的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻裝置,其中所述投影系統(tǒng)補償器包括圖案化輻射光束畸變檢測器,用于檢測該圖案化輻射光束的畸變。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻裝置,其中所述投影系統(tǒng)補償器和所述圖案化輻射光束畸變檢測器形成反饋環(huán)路。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻裝置,其中所述圖案化輻射光束畸變檢測器包括:
光學檢測器,設(shè)置成檢測由所述圖案化輻射光束在所述基底上反射的輻射;和
比較器,用于為了探測該圖案化輻射光束的所述畸變而對所述探測到的輻射和標準圖案進行比較。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的光刻裝置,其中所述投影系統(tǒng)補償器包括:
溫度傳感器,用于測量所述投影系統(tǒng)最后元件、所述基底和所述液體中至少之一的至少一部分的溫度;和
存儲設(shè)備,能夠存儲校準數(shù)據(jù)表,所述校準數(shù)據(jù)代表根據(jù)溫度傳感器的測量值對所述投影系統(tǒng)的光學性質(zhì)進行的調(diào)整。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光刻裝置,其中所述溫度傳感器測量所述投影系統(tǒng)最后元件、所述基底和所述液體中至少之一的至少一部分的溫度曲線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的光刻裝置,其中所述投影系統(tǒng)補償器通過設(shè)置在其中的一個或者多個可調(diào)元件來調(diào)整所述投影系統(tǒng)的光學性質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光刻裝置,其中所述一個或多個可調(diào)元件包括可致動透鏡或者可移動反射鏡。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的光刻裝置,其中所述投影系統(tǒng)補償器包括PID控制器,其被配置為實現(xiàn)朝向靶部溫度的收斂。
10.一種光刻裝置,其包括:
基底臺,構(gòu)造成保持基底;
投影系統(tǒng),構(gòu)造成將圖案化的輻射光束投影到基底靶部;
傳感器,配置成測量所述基底的溫度、或者所述投影系統(tǒng)的至少一部分的溫度、或者所述投影系統(tǒng)的至少一部分和所述基底兩者的溫度;
液體供給系統(tǒng),用于至少部分地對所述投影系統(tǒng)和所述基底之間的空間填充液體,所述液體供給系統(tǒng)還包括溫度控制器,其被配置為基于所測量的溫度將所述基底的溫度、所述液體的溫度和所述投影系統(tǒng)的至少部分的溫度調(diào)整到基本接近公共靶部溫度。
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