[發明專利]清洗方法、清洗系統以及制造微結構的方法

有效

• 申請號: 201010287644.5
• 申請日: 2010-09-20
• 公開（公告）號: CN102030306A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 速水直哉;田家真紀子;加藤昌明;土門宏紀;尾川裕介;黑川禎明;小林信雄
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;氯工程株式會社;芝浦機械電子株式會社
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 過曉東

1.一種清洗方法，其包括：

通過電解稀硫酸溶液制備包括氧化物質的氧化溶液，和

向待清洗物體表面單獨地、按順序地或基本上同時地供給高濃縮無機酸溶液和氧化溶液。

2.根據權利要求1所述的方法，其中重復地進行向待清洗物體的表面供給高濃縮無機酸溶液和向待清洗物體的表面供給氧化溶液。

3.根據權利要求1所述的方法，其中稀硫酸溶液的硫酸濃度不小于30重量％，并且不超過70重量％。

4.根據權利要求1所述的方法，其中高濃縮無機酸溶液為具有不小于90重量％硫酸濃度的濃硫酸溶液。

5.根據權利要求1的所述的方法，其中氧化物質包括選自過氧一硫酸和過氧二硫酸中的至少一種。

6.根據權利要求1所述的方法，其中選自氧化溶液的溫度和高濃縮無機酸溶液的溫度中的至少之一不小于100℃，并且不超過110℃。

7.根據權利要求1所述的方法，其中利用當高濃縮無機酸溶液和氧化溶液在待清洗物體表面上混合時產生的反應熱來進行溶液溫度的調節。

8.根據權利要求1所述的方法，其中在供給高濃縮無機酸溶液和供給氧化溶液之間，不進行向待清洗物體的表面提供漂洗液體。

9.根據權利要求1所述的方法，其中抗蝕劑在待清洗物體的表面上形成，所述抗蝕劑的表面具有改變層。

10.一種清洗系統，其包括：

硫酸電解單元，該硫酸電解單元包括陽極、陰極、在陽極和陰極之間提供的隔離膜、在陽極和隔離膜之間提供的陽極室、以及在陰極和隔離膜之間提供的陰極室，硫酸電解單元通過電解稀硫酸溶液在陽極室內制備氧化物質；

向陽極室和陰極室供給稀硫酸溶液的稀硫酸供給單元；

對待清洗物體進行清洗處理的清洗處理單元；

向清洗處理單元供給高濃縮無機酸溶液的無機酸供給單元；和

向清洗處理單元供給包括氧化物質的氧化溶液的氧化溶液供給單元；

通過無機酸供給單元向清洗處理單元供給高濃縮無機酸與通過氧化溶液供給單元供給氧化溶液單獨地、按順序地或基本上同時進行。

11.根據權利要求10所述的系統，其進一步地包括溶液循環單元，該溶液循環單元回收選自從清洗處理單元中排放出的高濃縮無機酸溶液和氧化溶液中的至少一種物質，并且再補給該至少一種物質到清洗處理單元。

12.根據權利要求11所述的系統，其中溶液循環單元回收選自從清洗處理單元中排放出的高濃縮無機酸溶液和氧化溶液中的至少一種物質，并經由硫酸電解單元再補給該至少一種物質到清洗處理單元。

13.根據權利要求12所述的系統，其中硫酸電解單元通過電解稀硫酸溶液以及選自高濃縮無機酸溶液和氧化溶液中的至少一種物質在陽極室中制備氧化物質，稀硫酸溶液由稀硫酸供給單元供給，所述至少一種物質由溶液循環單元供給。

14.根據權利要求10所述的系統，其中稀硫酸溶液的硫酸濃度不小于30重量％，并且不超過70重量％。

15.根據權利要求10所述的系統，其中高濃縮無機酸溶液為具有不小于90重量％硫酸濃度的濃硫酸溶液。

16.根據權利要求10所述的系統，其中無機酸供給單元包括加熱器，該加熱器執行對無機酸溶液的溫度控制。

17.根據權利要求11所述的系統，其中溶液循環單元包括加熱器，該加熱器執行對氧化溶液的溫度控制。

18.根據權利要求11所述的系統，其中在選自供給氧化溶液到清洗處理單元的管系和供給高濃縮無機酸溶液到清洗處理單元的管系中的至少之一中提供加熱器。

19.根據權利要求11所述的系統，其中選自陽極和陰極中的至少之一包括在導電的基底元件的表面上形成的導電金剛石膜。

20.一種制造微結構的方法，其包括通過根據權利要求1的清洗方法清洗待清洗物體，以及形成微結構。