[發明專利]薄化晶片的方法無效
| 申請號: | 201010287602.1 | 申請日: | 2010-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN102403193A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發明(設計)人: | 謝丞聿 | 申請(專利權)人: | 聯華電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 方法 | ||
1.一種薄化晶片的方法,包含:
提供一晶片,具有有源面、背面以及側面,其中該有源面與該背面相對設置,該側面設置于該有源面與該背面之間并環繞該晶片的周圍;
在該晶片上形成一保護結構,且該保護結構至少完全包覆該側面;以及
從該背面對該晶片進行一薄化制作工藝。
2.如權利要求1所述的薄化晶片的方法,其中該保護結構僅完全包覆于該晶片的該側面。
3.如權利要求1所述的薄化晶片的方法,其中該保護結構還包覆于該晶片的該有源面。
4.如權利要求1所述的薄化晶片的方法,其中該保護結構還包覆于該晶片的該背面。
5.如權利要求1所述的薄化晶片的方法,其中該保護結構包含一保護結構側面以及一保護結構正面,該保護結構側面對應于該側面,該保護結構正面大體上平行且對應于該有源面。
6.如權利要求5所述的薄化晶片的方法,其中該側面與該有源面具有一第一角度,該保護結構側面與該保護結構正面具有一第二角度,該第一角度大于該第二角度。
7.如權利要求6所述的薄化晶片的方法,其中該第二角度實質上等于90度。
8.如權利要求1所述的薄化晶片的方法,其中進行該薄化步驟時,該晶片的該有源面與該側面之間不具有階梯狀結構。
9.如權利要求1所述的薄化晶片的方法,還包含:
提供一載具,該載具具有一載具正面、一載具背面以及一載具側面,其中該載具正面與該載具背面相對設置,該載具側面設置于該載具正面與該載具背面之間并環繞該載具的周圍,且該載具正面與該晶片的該有源面黏合;以及
在形成該保護結構時,同時在該載具側面上形成該保護結構。
10.如權利要求9所述的薄化晶片的方法,其中該保護結構包含一保護結構側面以及一保護結構正面,該保護結構側面對應于該側面以及該載具側面,該保護結構正面大體上平行且對應于該背面。
11.如權利要求10所述的薄化晶片的方法,其中該側面與該背面具有一第三角度,該保護結構側面與該保護結構正面具有一第四角度,該第三角度大于該第四角度。
12.如權利要求11所述的薄化晶片的方法,其中該第四角度實質上等于90度。
13.如權利要求9所述的薄化晶片的方法,其中該載具為另一晶片。
14.如權利要求1所述的薄化晶片的方法,其中形成該保護結構的步驟包含于該晶片的該側面上形成一樹脂材料。
15.如權利要求14所述的薄化晶片的方法,其中該樹脂材料包含環氧樹脂。
16.如權利要求14所述的薄化晶片的方法,還包含于該樹脂材料中加入多個顆粒,其中該多個顆粒的硬度大于該樹脂材料的硬度。
17.如權利要求16所述的薄化晶片的方法,其中該多個顆粒的材質包含氧化鋁、氮化鋁、氧化硅或氮化硅。
18.如權利要求14所述的薄化晶片的方法,還包含對該樹脂材料進行一固化制作工藝以形成該保護結構。
19.如權利要求18所述的薄化晶片的方法,其中該固化制作工藝包含熱固化制作工藝或光固化制作工藝。
20.如權利要求1所述的薄化晶片的方法,在進行該薄化制作工藝之后,還包含移除該保護結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





