[發明專利]用于對基底進行電鍍的裝置和方法

無效

• 申請號: 201010287440.1
• 申請日: 2010-09-17
• 公開（公告）號: CN102021636A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 洛塔爾·利珀特;斯特凡·道維
• 申請（專利權）人: 肖特太陽能控股公司
• 主分類號: C25D17/00
• 分類號: C25D17/00;C25D7/12;C25D5/18;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 車文;樊衛民

1.用于對至少一個基底(1)的至少一個表面(2、3)進行電鍍的裝置，所述基底(1)尤其是指太陽能電池(1a)，所述裝置具有：

鍍層浸浴區(13)，所述鍍層浸浴區(13)具有以電解的鍍液(14)填充的鍍槽(12)；

用于引導所述基底穿過所述鍍層浸浴區(13)的傳送裝置(15)；

帶有至少一個用于照射所述基底(1)的光源(64)的光源電路(60)；以及

用于所述基底(1)的帶陽極(54)的整流器電路(50)，其特征在于，

設置有用于產生同步的電流脈沖和光脈沖的機構，其中，在所述電流脈沖間的脈沖間歇中，中斷對所述基底(1)的照射。

2.按照權利要求1所述的裝置，其特征在于，用于同步產生電流脈沖和光脈沖的所述機構包括至少一個在所述整流器電路(50)和/或所述光源電路(60)中的脈沖發生器(53)。

3.按照權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述整流器電路(50)和所述光源電路(60)聯接到所述脈沖發生器(53)上。

4.按照權利要求1至3所述的裝置，其特征在于，所述光源電路(60)通過光耦合器(56)與所述整流器電路(50)耦合。

5.按照權利要求1至4之一所述的裝置，其特征在于，所述光源電路(60)和/或所述整流器電路(50)具有至少一個控制裝置(59、66)，所述至少一個控制裝置(59、66)依賴于所述電流脈沖的寬度和/或所述光脈沖的寬度對所述光源(64)的光功率和/或所述電流脈沖的強度進行控制。

6.按照權利要求1至5之一所述的裝置，其特征在于，設置有用于使所述鍍液(14)產生流動的機構。

7.按照權利要求6所述的裝置，其特征在于，所述用于使所述鍍液(14)產生流動的機構包括至少一個用于導入鍍液(14)的噴嘴。

8.按照權利要求7所述的裝置，其特征在于，所述噴嘴在所述鍍層浸浴區(13)中布置在有待鍍層的所述表面(2、3)對面。

9.按照權利要求7或8之一所述的裝置，其特征在于，所述噴嘴垂直地指向所述基底(1)的有待鍍層的所述表面(2、3)。

10.按照權利要求7至9之一所述的裝置，其特征在于，所述噴嘴布置在所述整流器電路(50)的數個陽極(54)之間。

11.按照權利要求7至10之一所述的裝置，其特征在于，所述噴嘴是文丘里噴嘴(46)。

12.按照權利要求6至11之一所述的裝置，其特征在于，所述用于使所述鍍液(14)產生流動的機構包括循環裝置(30)。

13.按照權利要求12所述的裝置，其特征在于，所述循環裝置(30)是逆流裝置。

14.用于對至少一個基底的至少一個表面進行電鍍的方法，其中，所述基底運動穿過電解的鍍液并且被用光照射，其中，借助整流器電路將電鍍電流施加到所述基底上，

其特征在于，

使所述電鍍電流和所述光同步地脈沖，其中，在電流脈沖間的脈沖間歇中，中斷對所述基底的照射。

15.按照權利要求14所述的方法，其特征在于，光脈沖的寬度和電流脈沖的寬度為0.1ms至10000ms。

16.按照權利要求12或13之一所述的方法，其特征在于，所述脈沖間歇的寬度被選擇得與所述脈沖的寬度相同。

17.按照權利要求14至16之一所述的方法，其特征在于，電流脈沖和/或光脈沖是矩形脈沖。

18.按照權利要求14至17之一所述的方法，其特征在于，光脈沖的強度和/或寬度，和/或電流脈沖的強度和/或寬度被改變。

19.按照權利要求12至15之一所述的方法，其特征在于，光脈沖越弱，則所述光脈沖就越寬。

20.按照權利要求12至16之一所述的方法，其特征在于，在電流脈沖的間歇中，直流電流被施加，所述直流電流的強度為I₂≤0.5×I₁，其中，I₁表示所述電流脈沖的強度。