[發明專利]dB線性過程無關可變增益放大器

有效

• 申請號: 201010286722.X
• 申請日: 2010-09-20
• 公開（公告）號: CN102025334A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: M·喬納斯
• 申請（專利權）人: 瑪克西姆綜合產品公司
• 主分類號: H03G3/20
• 分類號: H03G3/20;H03F3/45
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 杜娟

1.一種柵極電壓控制電路，包含：

具有柵極、源極和漏極的第一MOSFET；

反饋回路，包含：

反饋晶體管；

串聯在所述反饋晶體管的發射極與所述第一MOSFET的漏極之間的第一電阻；

配置成在所述反饋晶體管的集電極處提供線性電流的反饋元件，所述反饋元件與所述反饋晶體管的集電極連接；以及

接收源自所述反饋電阻與所述反饋晶體管的集電極之間的節點的反饋電壓的運算放大器，所述運算放大器提供用作柵極控制電壓的輸出，在所述第一MOSFET的柵極處接收到所述柵極控制電壓，所述柵極控制電壓調整所述第一MOSFET和所述第一電阻的組合的跨導；以及

具有柵極、源極和漏極的第二MOSFET，所述第二MOSFET與所述第一MOSFET匹配，所述第二MOSFET的柵極被連接成接收所述柵極控制電壓。

2.如權利要求1所述的柵極電壓控制電路，其中，所述柵極控制電壓按所述第二MOSFET的接近對數線性關系產生漏極到源極跨導。

3.如權利要求1所述的柵極電壓控制電路，其中，所述第二MOSFET是跨導電路的一部分。

4.如權利要求3所述的柵極電壓控制電路，其中，所述跨導電路是提供與控制電壓相關的對數線性增益輸出的放大器的一部分，所述柵極電壓控制電路適用于接收控制電壓，所述控制電壓具有預定范圍。

5.如權利要求3所述的柵極電壓控制電路，其中，所述跨導電路是衰減器電路的一部分。

6.一種可變增益放大器，包含：

跨導放大器，所述跨導放大器包含：

包含第一MOSFET的第一跨導器電路；以及

包含第二MOSFET的第二跨導器電路，所述第二跨導器電路與所述第一跨導器電路并聯；

具有第一柵極控制電壓輸出端的第一柵極電壓控制電路，所述第一柵極控制電壓輸出端與所述第一MOSFET的柵極連接，所述第一柵極電壓控制電路包含：

具有柵極、源極和漏極的第三MOSFET；以及

第一反饋回路，包含：

第一反饋晶體管；

串聯在所述第一反饋晶體管的發射極與所述第三MOSFET的漏極之間的第一電阻；

與所述第一反饋晶體管的集電極串聯的第一反饋元件；以及

接收源自所述第一反饋電阻與所述第一反饋晶體管的集電極之間的第一節點的第一反饋電壓的第一運算放大器，所述第一運算放大器提供用作第一柵極控制電壓的第一輸出，在所述第一MOSFET的柵極處接收所述第一柵極控制電壓，所述第一柵極控制電壓被連接成控制所述第三MOSFET和所述第一電阻的組合的跨導；以及

具有第二柵極控制電壓輸出端的第二柵極電壓控制電路，所述第二柵極控制電壓輸出端與所述第二MOSFET的基極連接，所述第二柵極電壓控制電路包含：

具有柵極、源極和漏極的第四MOSFET；以及

第二反饋回路，包含：

第二反饋晶體管；

串聯在所述第二反饋晶體管的發射極與所述第四MOSFET的漏極之間的第二電阻；

與所述第二反饋晶體管的集電極串聯的第二反饋元件；以及

接收源自所述第二反饋電阻與所述第二反饋晶體管的集電極之間的第二節點的第二反饋電壓的第二運算放大器，所述第二運算放大器提供用作第二柵極控制電壓的第二輸出，在所述第二MOSFET的柵極處接收所述第二柵極控制電壓，所述第二柵極控制電壓被連接成控制所述第四MOSFET和所述第二電阻的組合的跨導。

7.如權利要求6所述的可變增益放大器，其中，所述第一反饋晶體管是雙極結型晶體管。

8.如權利要求6所述的可變增益放大器，其中，在所述第三MOSFET的柵極處接收所述第一柵極控制電壓，并且其中在所述第四MOSFET的柵極處接收所述第二柵極控制電壓。

9.如權利要求6所述的可變增益放大器，其中，所述第一MOSFET和所述第三MOSFET是匹配的MOSFET器件。

10.如權利要求9所述的可變增益放大器，其中，所述第二MOSFET和所述第四MOSFET是匹配的MOSFET器件。