[發明專利]金屬繞穿型背接觸太陽電池、制備方法及其組件無效
| 申請號: | 201010286285.1 | 申請日: | 2010-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN102386254A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發明(設計)人: | 艾凡凡;王玉林;蔡昭;楊健;陳如龍;薛小興;張光春 | 申請(專利權)人: | 無錫尚德太陽能電力有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李湘;高為 |
| 地址: | 214028 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬 繞穿型背 接觸 太陽電池 制備 方法 及其 組件 | ||
1.一種金屬繞穿型背接觸太陽電池,其包括:
電池襯底之中的第一導電類型區域和設置在所述第一導電類型區域之上的第二導電類型區域;
形成于所述電池襯底的正面的、與所述第二導電類型區域電性連接的副柵線;
穿過所述電池襯底的通孔;
基于所述通孔與所述副柵線連接的、構圖形成于所述電池襯底的背面的主柵電極;
構圖形成于所述電池襯底的背面的、與所述第一導電類型區域電性連接的第二電極;以及
用于隔離所述主柵電極和所述第二電極的第一隔離槽;
其中,所述第二電極還用于對其所接觸的所述第二導電類型區域自對準補償摻雜,所述第一導電類型區域所產生的電流通過被自對準補償摻雜的第二導電類型區域輸出至所述第二電極。
2.如權利要求1所述的太陽電池,其特征在于,所述第一隔離槽通過準濕法刻蝕構圖形成、或者通過激光構圖形成。
3.如權利要求1所述的太陽電池,其特征在于,所述主柵電極中設置鏤空區域。
4.如權利要求3所述的太陽電池,其特征在于,所述鏤空區域設置為方塊形狀、圓孔狀或其他不規則形狀,其并設置在所述通孔之間。
5.如權利要求1所述的太陽電池,其特征在于,所述第二電極為鋁或者鋁合金材料。
6.如權利要求1所述的太陽電池,其特征在于,每條所述副柵線與對應所述主柵電極的連接處設置兩個或兩個以上所述通孔。
7.如權利要求1或2或3或5所述的太陽電池,其特征在于,所述主柵電極為銀或者銀合金材料。
8.如權利要求1或2或3或5任一所述的太陽電池,其特征在于,還包括形成于所述第二導電類型區域之上的正面的減反射層。
9.如權利要求8所述的太陽電池,其特征在于,所述減反射層為氮化硅。
10.如權利要求1或2或3或5任一所述的太陽電池,其特征在于,所述第一導電類型區域為p型半導體區域,所述第二導電類型區域為n型半導體區域。
11.如權利要求5所述的太陽電池,其特征在于,所述太陽電池還包括設置于所述電池背面的連接點。
12.如權利要求11所述的太陽電池,其特征在于,所述連接點與所述主柵電極同為銀或者同為銀合金材料,所述連接點與所述主柵電極同步絲網印刷或鋼網印刷形成。
13.如權利要求1或2或3或5任一所述的太陽電池,其特征在于,所述太陽電池還包括在所述電池襯底正面和/或背面形成的、位于所述太陽電池的四周邊沿區域的邊沿隔離區。
14.如權利要求13任一所述的太陽電池,其特征在于,所述邊沿隔離區上設置有第二隔離槽。
15.一種金屬繞穿型背接觸太陽電池的制備方法,其特征在于,其包括步驟:
(1)提供用于制備太陽電池的第一導電類型的電池襯底;
(2)在所述電池襯底中形成定位形成通孔;
(3)對所述電池襯底表面進行第二導電類型的摻雜以形成第二導電類型區域;以及
(4)在所述電池襯底背面上構圖形成主柵電極以及第二電極以及在所述電池襯底正面構圖形成副柵線,所述第二電極對其所接觸的所述第二導電類型區域自對準補償摻雜。
16.如權利要求15所述的方法,其特征在于,在步驟(4)之后,還包括步驟:激光刻槽形成隔離槽。
17.如權利要求16所述的方法,其特征在于,所述隔離槽包括:用于隔離所述主柵電極和所述第二電極的第一隔離槽;以及設置在所述太陽電池的四周邊沿區域的邊沿隔離區的第二隔離槽。
18.如權利要求15所述的方法,其特征在于,在步驟(3)之后、步驟(4)之前,還包括步驟:準濕法刻蝕形成用于隔離所述主柵電極和所述第二電極的第一隔離槽。
19.如權利要求18所述的方法,其特征在于,在準濕法刻蝕所述第一隔離槽時,同時準濕法刻蝕所述太陽電池的四周邊沿區域的邊沿隔離區的PN結。
20.如權利要求15或16或18所述的方法,其特征在于,所述通孔通過光刻刻蝕、機械打孔、激光打孔或電子束打孔形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





