[發(fā)明專利]一種超高深寬比微型氣相色譜柱及其MEMS加工方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010286221.1 | 申請日： | 2010-09-19 |
| 公開（公告）號： | CN102004137A | 公開（公告）日： | 2011-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 杜曉松;廖明杰;王力;熊麗霞;謝光忠;蔣亞東 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | G01N30/60 | 分類號： | G01N30/60;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 高深 微型 色譜 及其 mems 加工 方法 | ||
1.一種超高深寬比微型氣相色譜柱，其特征在于：由多層硅和多層玻璃構(gòu)成，形成一個底層、若干個中間層和一個頂層，在各層中具有相同圖案和尺寸的垂直溝槽，其中底層和頂層的垂直溝槽的深度為該層厚度的一半，而中間層的垂直溝槽的深度等于該層的厚度，形成鏤空的中間層，將底層、中間層和頂層按硅和玻璃相互間隔的排列方式鍵合在一起，使得各層的垂直溝槽嚴(yán)格對準(zhǔn)，形成一條超高深寬比的垂直溝槽，溝槽的內(nèi)壁涂覆有固定相。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高深寬比微型氣相色譜柱，其特征在于，底層的材料選擇硅和玻璃中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高深寬比微型氣相色譜柱，其特征在于：硅和玻璃的總層數(shù)為3-7層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高深寬比微型氣相色譜柱，其特征在于：每層硅或玻璃的厚度為100-500μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超高深寬比微型氣相色譜柱，其特征在于：所述溝槽在長度和寬度平面內(nèi)的投影為回線形或螺旋形。
6.一種超高深寬比微型氣相色譜柱的MEMS加工方法，其特征在于，包括以下步驟：
①干法刻蝕底層和頂層材料皆至厚度的一半，頂層的刻蝕圖案與底層的刻蝕圖案呈鏡面對稱；
②干法刻蝕硅和玻璃作中間層材料直至貫穿，形成與底層相同的刻蝕圖案；
③以硅和玻璃相間的順序，利用硅-玻鍵合技術(shù)依次在底層材料上鍵合1-5層中間層材料，并使得各層的矩形垂直深槽相互對準(zhǔn)；
④將刻蝕后的頂層材料倒扣過來，與下層矩形垂直深槽完全對準(zhǔn)后硅-玻鍵合完成密封。
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