[發明專利]臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法

有效

• 申請號: 201010285821.6
• 申請日: 2010-09-17
• 公開（公告）號: CN102403229A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 李鳳蓮
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，包括：

提供硅襯底，所述硅襯底上形成有柵極結構、位于柵極結構兩側的第一間隙壁、以及位于第一間隙壁兩側的第二間隙壁；

執行第一次離子注入工藝，以在所述第二間隙壁兩側的硅襯底中形成第一非晶態區域；

去除所述第二間隙壁；

執行第二次離子注入工藝，以在所述第一間隙壁兩側的硅襯底中形成第二非晶態區域，所述第二非晶態區域的深度小于第一非晶態區域的深度；

刻蝕所述第一非晶態區域和第二非晶態區域，以形成臺階狀凹陷部；

在所述臺階狀凹陷部內形成摻雜的臺階狀硅鍺源/漏結構。

2.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第一非晶態區域和第二非晶態區域是利用干法刻蝕工藝去除的。

3.如權利要求2所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝所使用的刻蝕氣體為溴化氫、氧氣以及氯氣的混合氣體。

4.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第一非晶態區域和第二非晶態區域是利用濕法刻蝕工藝去除的。

5.如權利要求4所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝所使用的刻蝕液體為pH值大于10的堿性液體。

6.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第一次離子注入工藝注入的離子為硅離子、鍺離子或氬離子。

7.如權利要求1或6所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第一非晶態區域的深度為450埃～800埃。

8.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第二次離子注入工藝注入的離子為硅離子、鍺離子或氬離子。

9.如權利要求1或8所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第二非晶態區域的深度為100埃～250埃。

10.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第一間隙壁的材質為氧化硅、氮化硅中的一種或其組合。

11.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第二間隙壁的材質為氧化硅、氮化硅或無定形碳中的一種或其組合。

12.如權利要求11所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述第二間隙壁是利用干法刻蝕或濕法刻蝕工藝去除的。

13.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述柵極結構包括柵極介電層以及覆蓋所述柵極介電層的柵極電極。

14.如權利要求13所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述柵極結構包括還包括覆蓋所述柵極電極的蓋層。

15.如權利要求14所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述蓋層的材質為氧化硅、氮化硅中的一種或其組合。

16.如權利要求1所述的臺階狀硅鍺源/漏結構的制造方法，其特征在于，所述摻雜的臺階狀硅鍺源/漏結構是利用外延生長原位摻雜工藝形成的。