[發明專利]TEM樣品制造方法無效
| 申請號： | 201010285810.8 | 申請日： | 2010-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN102401758A | 公開（公告）日： | 2012-04-04 |
| 發明（設計）人： | 段淑卿;芮志賢;李劍;于會生;王玉科 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28;G01N1/44 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 20120*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tem 樣品 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種TEM樣品制造方法，包括：
利用聚焦離子束切割晶圓得到TEM樣品薄片；
加熱所述TEM樣品薄片制成TEM樣品。
2.如權利要求1所述的透射電鏡樣品制造方法，其特征在于：加熱所述TEM樣品薄片的溫度為400℃～800℃。
3.如權利要求1所述的透射電鏡樣品制造方法，其特征在于：加熱所述TEM樣品薄片的時間為大于等于1小時。
4.如權利要求3所述的透射電鏡樣品制造方法，其特征在于：加熱所述TEM樣品薄片的時間為2小時～20小時。
5.如權利要求1所述的透射電鏡樣品制造方法，其特征在于：利用陶瓷加熱器加熱所述TEM樣品薄片。
6.如權利要求5所述的透射電鏡樣品制造方法，其特征在于：先將所述TEM樣品薄片置于鉬架子上，之后再將所述鉬架子和所述TEM樣品薄片放入所述陶瓷加熱器中加熱。
7.如權利要求6所述的透射電鏡樣品制造方法，其特征在于：通過沉積鎢將所述TEM樣品薄片粘貼于所述鉬架子上。
8.如權利要求1所述的透射電鏡樣品制造方法，其特征在于：所述聚焦離子束使用的電壓為30千伏。
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