[發(fā)明專利]淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010285808.0
• 申請(qǐng)日: 2010-09-17
• 公開（公告）號(hào): CN102403258A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔣陽(yáng)波;陳正敏;聶廣宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括下列步驟：

提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上依次形成有氧化物層和氮化物層；

依次刻蝕所述氮化物層、氧化物層和半導(dǎo)體襯底，形成溝槽；

在所述溝槽的內(nèi)壁表面形成隧道氧化層；

向所述溝槽內(nèi)以及氮化物層上沉積絕緣層，所述絕緣層填滿所述溝槽；

對(duì)所述絕緣層施行化學(xué)機(jī)械拋光，以暴露出所述氮化物層；

進(jìn)行高溫氧化處理過程，向所述溝槽所在的環(huán)境通入氧化氣體，以增加所述溝槽兩側(cè)頂角處隧道氧化層的厚度；

依次去除氮化物層和氧化物層。

2.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述高溫氧化處理過程中所述氧化氣體為氧氣、臭氧、氫氣、二氯乙烯或氯化氫。

3.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述高溫氧化處理過程中氧化氣體的流量為1～10L/min。

4.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述高溫氧化處理過程的氧化時(shí)間為5min～60min。

5.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述高溫氧化處理過程的氧化溫度為800～1100℃。

6.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述氧化物層和氮化物層采用熱氧化法形成。

7.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述絕緣層為氧化硅。

8.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述絕緣層采用高密度等離子沉積法形成。

9.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，去除所述氮化物層和所述氧化物層采用濕法刻蝕。