[發(fā)明專利]一種在重新粘合過程中防止待測芯片損傷的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010285770.7
• 申請日: 2010-09-17
• 公開（公告）號: CN102403242A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓耀梅;陳險(xiǎn)峰
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種在重新粘合過程中防止待測芯片損傷的方法，其特征在于，包括以下步驟：

對待測芯片進(jìn)行解封裝，以露出所述待測芯片上的焊接球；

在所述待測芯片表面均勻形成一層粘合劑，所述粘合劑的高度高于所述焊接球的高度；

研磨所述粘合劑和所述焊接球，直至露出所述焊接球；將一金屬引線的一端焊接在所述焊接球上，另一端焊接在一金屬條上。

2.如權(quán)利要求1所述的在重新粘合過程中防止待測芯片損傷的方法，其特征在于，形成所述粘合劑的步驟為：將所述粘合劑均勻涂抹在待測芯片的表面，烘烤所述粘合劑直至凝固。

3.如權(quán)利要求2所述的在重新粘合過程中防止待測芯片損傷的方法，其特征在于，所述粘合劑為環(huán)氧樹脂粘合劑。

4.如權(quán)利要求2所述的在重新粘合過程中防止待測芯片損傷的方法，其特征在于，所述烘烤過程中，溫度為50～150℃。

5.如權(quán)利要求2所述的在重新粘合過程中防止待測芯片損傷的方法，其特征在于，所述烘烤過程中，烘烤時(shí)間為5min～10min。

6.如權(quán)利要求1所述的在重新粘合過程中防止待測芯片損傷的方法，其特征在于，在研磨所述粘合劑和所述焊接球過程中，采用研磨盤進(jìn)行研磨，所述研磨盤的轉(zhuǎn)速為20～50轉(zhuǎn)/分鐘。

7.如權(quán)利要求6所述的在重新粘合過程中防止待測芯片損傷的方法，其特征在于，所述研磨盤采用顆粒直徑為0.3um～0.7um的研磨砂進(jìn)行研磨。

8.如權(quán)利要求1所述的在重新粘合過程中防止待測芯片損傷的方法，其特征在于，研磨露出所述焊接球的截面直徑為所述焊接球直徑的0.5～1倍。

9.如權(quán)利要求8所述的在重新粘合過程中防止待測芯片損傷的方法，其特征在于，研磨露出所述焊接球的截面直徑為所述焊接球直徑的1倍。

10.如權(quán)利要求1所述的在重新粘合過程中防止待測芯片損傷的方法，其特征在于，所述金屬引線為金線或鋁線或銅線。

11.如權(quán)利要求1所述的在重新粘合過程中防止待測芯片損傷的方法，其特征在于，所述金屬條為鋁條或者銅條。