[發明專利]一種磁性隨機存取存儲器磁性隧道結層制造方法

有效

• 申請號: 201010285719.6
• 申請日: 2010-09-17
• 公開（公告）號: CN102403451A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 吳磊;倪景華;李錦;于書坤;鄒立
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種磁性隨機存取存儲器磁性隧道結層制造方法，包括：

提供襯底，襯底上包括已經形成的晶體管，以及晶體管上方形成的數據線和MTJ結構的底電極；

在襯底上沉積MTJ結構，所述MTJ結構包括下部導電層、MTJ層和上部覆蓋層，所述MTJ層是由磁性材料層和絕緣材料層交替堆疊而成的多層結構；沉積所述MTJ結構時，首先，在所述襯底上設置用以對襯底四周進行去邊遮蔽的第一掩模；其次，在所述第一掩模的遮蔽下，在所述襯底上依次沉積形成MTJ結構的下部導電層和MTJ層，沉積完成后撤除所述第一掩模；再次，在所述襯底上設置同樣用以對襯底四周進行去邊遮蔽的第二掩模，所述第二掩模同所述襯底相重疊的寬度小于所述第一掩模同所述襯底相重疊的寬度；再次，在所述第二掩模的遮蔽下，在已沉積形成的下部導電層和MTJ層的襯底之上沉積上部覆蓋層；最后撤除所述第二掩模；

在MTJ結構上形成掩模圖案并以所述掩模圖案為遮蔽對所述MTJ結構依次進行刻蝕，最后去除掩模圖案形成最終的MTJ結構。

2.如權利要求1所述的磁性隨機存取存儲器磁性隧道結層制造方法，其特征在于，所述第一掩模同所述襯底相重疊的寬度與所述第二掩模同所述襯底相重疊的寬度之差在0.5mm至5mm之間。

3.如權利要求1所述的磁性隨機存取存儲器磁性隧道結層制造方法，其特征在于，所述上部覆蓋層的厚度為200埃至1000埃。

4.如權利要求1或3中任一權利要求所述的磁性隨機存取存儲器磁性隧道結層制造方法，其特征在于，所述下部導電層和上部覆蓋層均由金屬導電材質形成。

5.如權利要求1所述的磁性隨機存取存儲器磁性隧道結層制造方法，其特征在于，所述MTJ層為磁性材料層和絕緣材料層交替堆疊而成的多層結構。