[發明專利]一種基于多孔陽極氧化鋁模板的硫化鈷納米管或納米線的制備方法無效
| 申請號： | 201010285346.2 | 申請日： | 2010-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN101948144A | 公開（公告）日： | 2011-01-19 |
| 發明（設計）人： | 陶峰;王志俊 | 申請（專利權）人： | 安徽工程大學 |
| 主分類號： | C01G51/00 | 分類號： | C01G51/00 |
| 代理公司： | 合肥天明專利事務所 34115 | 代理人： | 奚華保 |
| 地址： | 24100*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 多孔 陽極 氧化鋁 模板 硫化 納米 制備 方法 | ||
1.一種基于多孔陽極氧化鋁模板的硫化鈷納米管或納米線的制備方法，其特征在于該方法包括以下步驟：
1)、使用二次陽極氧化法獲得通孔氧化鋁模板，或采用成品通孔氧化鋁模板；
2)、將所述氧化鋁模板置于含有無水氯化鈷和硫脲的混合溶液中，使所述混合溶液填充進氧化鋁模板孔洞中；采用分步升溫法先將反應溫度設定為60-80℃，待出現沉淀，并伴有氣體生成后，再將溫度升高到90-100℃，并在此溫度下反應20-60分鐘，使所述氧化鋁模板孔中置有納米線或納米管，然后用水清洗、干燥；
3)、將上述步驟2中的置有納米線或納米管的氧化鋁模板置于強堿溶液中腐蝕掉氧化鋁模板，制得硫化鈷納米管或納米線。
2.根據權利要求1所述的基于多孔陽極氧化鋁模板的硫化鈷納米管或納米線的制備方法，其特征在于所述混合溶液濃度為1.5-2.5M，其中無水氯化鈷和硫脲之比為1∶1。
3.根據權利要求1所述的基于多孔陽極氧化鋁模板的硫化鈷納米管或納米線的制備方法，其特征在于所述通孔氧化鋁模板的孔洞大小可用磷酸溶液浸泡腐蝕控制，浸泡時間為20-60分鐘。
4.根據權利要求3所述的基于多孔陽極氧化鋁模板的硫化鈷納米管或納米線的制備方法，其特征在于所述硫化鈷納米管、納米線的尺寸可由氧化鋁模板孔洞的尺寸進行控制調節，調節范圍：硫化鈷納米管孔洞外徑為60-150nm，內徑為20-80nm，納米線直徑為60-150nm。
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