[發明專利]一種用于生長鑄造單晶硅的坩堝及襯底片有效
| 申請號： | 201010284947.1 | 申請日： | 2010-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN101935869A | 公開（公告）日： | 2011-01-05 |
| 發明（設計）人： | 楊德仁;肖承全;余學功 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00;C30B28/06 |
| 代理公司： | 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224 | 代理人： | 唐柏松 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 生長 鑄造 單晶硅 坩堝 襯底 | ||
1.一種用于生長鑄造單晶硅的坩堝，其特征在于：所述坩堝的底部設有若干個連續的斗冠形結構、若干個連續的胞形結構或若干個連續的半球形結構。
2.如權利要求1所述的坩堝，其特征在于：所述每個斗冠形結構的錐角為90°-150°，底部尺寸為0-10cm，底部高度為0-10cm，相鄰斗冠形結構的距離為0-10cm。
3.如權利要求1所述的坩堝，其特征在于：所述每個胞形或半球結構的底部寬度為0-10cm，底部高度為0-10cm，相鄰胞形或半球結構的距離為0-10cm。
4.如權利要求1所述的坩堝，其特征在于：所述斗冠形結構、所述胞形結構或所述半球形結構的材料為石英或石墨。
5.如權利要求1～4任一所述的坩堝，其特征在于：所述坩堝的底部設為所述若干個連續的斗冠形結構、所述若干個連續的胞形結構或所述若干個連續的半球形結構。
6.如權利要求1～4任一所述的坩堝，其特征在于：所述坩堝的底部的內壁設為所述若干個連續的斗冠形結構、所述若干個連續的胞形結構或所述若干個連續的半球形結構，所述坩堝的底部的外壁為方形結構。
7.一種用于生長鑄造單晶硅的襯底片，其特征在于：所述襯底片的外壁為方形結構，內壁為若干個連續的斗冠形結構、若干個連續的胞形結構或若干個連續的半球形結構。
8.如權利要求7所述的襯底片，其特征在于：所述每個斗冠形結構的錐角為90°-150°，底部尺寸為0-10cm，底部高度為0-10cm，相鄰斗冠形結構的距離為0-10cm。
9.如權利要求7所述的襯底片，其特征在于：所述每個胞形或半球結構的底部寬度為0-10cm，底部高度為0-10cm，相鄰胞形或半球結構的距離為0-10cm。
10.如權利要求7～9任一所述的襯底片，其特征在于：所述襯底片的材料為石英或石墨。
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