[發明專利]高純磷烷的凈化和分析

無效

• 申請號: 201010284480.0
• 申請日: 2010-09-17
• 公開（公告）號: CN102398898A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 尹恩華;武峰;陸方喜
• 申請（專利權）人: 武峰
• 主分類號: C01B25/06
• 分類號: C01B25/06;G01N30/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

電子氣體是超大規模集成電路、平面顯示器件、化合物半導體器件、太陽能電池、光纖等電子工業生產不可缺少的原材料，它們廣泛應用于薄膜、刻蝕、摻雜、氣相沉積、擴散等工藝。例如在目前工藝技術較為先進的超大規模集成電路工廠的晶圓片制造過程中，全部工藝步驟超過450道，其中大約要使用50種不同種類的電子氣體。

背景技術

磷烷是電子氣體中的很重要的五族元素之一，是n型摻雜源，它被用作半導體的氣相沉積、外延、擴散和離子注入等工序。這些工序要求磷烷的純度越純越好(5N-6N)。經權威專家調研，目前國內外磷烷生產廠家對磷烷的純度指標如下(表1和表2)：

表1美國和日本生產的磷烷(瓶裝氣)純度對比

??Ideal(美)??Synthatron(美)??氧氣公司(日)??制鐵化學(日)??純度??＞4N8??＞5N??＞5N??＞5N5??二氧化碳??＜1??＜5??＜1??一氧化碳??＜0.5??氫??氮??＜3??＜2??＜2??氧??＜1??＜1??＜1??總烴??＜1??＜2??＜2??水??＜0.5??＜2??＜2??砷烷??氬??＜1