[發明專利]半導體集成電路

無效

• 申請號: 201010284427.0
• 申請日: 2006-03-29
• 公開（公告）號: CN101951225A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: 吉崎保展;和久田哲也
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H03D7/14
• 分類號: H03D7/14;H04B1/28
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王永剛

1.一種用于無線通信系統的半導體集成電路，包括：

半導體襯底；

置于所述半導體襯底之上的低噪聲放大器(210)，該低噪聲放大器經由天線接收RF信號并放大該RF信號；

置于所述半導體襯底之上的混頻電路(212)，該混頻電路對來自所述低噪聲放大器的輸出RF信號進行降頻轉換；以及

低通濾波器，它包括電阻(Rc1/Rc2)和電容(C1)，并被耦連到所述混頻電路，

其中，所述電阻(Rc1/Rc2)和所述電容(C1)被置于所述半導體襯底之上。

2.根據權利要求1的半導體集成電路，

其中，所述低通濾波器被用于從所述輸出RF信號減少不希望的波。

3.根據權利要求1的半導體集成電路，

其中，所述低通濾波器被用于減少相鄰信道的信號。

4.根據權利要求1的半導體集成電路，

還包括增益控制放大器(PGA21)，

其中，來自所述低噪聲放大器的輸出RF信號通過所述低通濾波器被輸入到所述增益控制放大器。

5.根據權利要求1的半導體集成電路，

還包括產生RF振蕩信號(φRF)的RF振蕩電路(262)，

其中，所述RF振蕩信號(φRF)被輸入用于對來自所述低噪聲放大器的所述輸出RF信號進行降頻轉換的所述混頻電路。

6.一種用于無線通信系統的半導體集成電路，包括：

半導體襯底；

置于所述半導體襯底之上的第一低噪聲放大器(210a)，該第一低噪聲放大器經由所述天線接收第一RF信號并放大該第一RF信號；

置于所述半導體襯底之上的第二低噪聲放大器(210d)，該第二低噪聲放大器經由天線接收第二RF信號并放大該第二RF信號；

置于所述半導體襯底之上的第一混頻電路(212a)，該第一混頻電路對來自所述第一低噪聲放大器的第一輸出RF信號進行降頻轉換；

置于所述半導體襯底之上的第二混頻電路(212b)，該第二混頻電路對來自所述第二低噪聲放大器的第二輸出RF信號進行降頻轉換；

第一低通濾波器，它包括第一電阻(Rc1/Rc2)和第一電容(C1)，并被耦連到所述第一混頻電路；以及

第二低通濾波器，它包括第二電阻(Rc1/Rc2)和第二電容(C1)，并被耦連到所述第二混頻電路，

其中，所述第一電阻(Rc1/Rc2)、所述第一電容(C1)、所述第二電阻(Rc1/Rc2)和所述第二電容(C1)被置于所述半導體襯底之上。

7.根據權利要求6的半導體集成電路，

其中，所述第一低通濾波器被用于從所述第一輸出RF信號減少不希望的波，

所述第二低通濾波器被用于從所述第二輸出RF信號減少不希望的波。

8.根據權利要求6的半導體集成電路，

其中，所述第一低通濾波器和所述第二低通濾波器被用于減少相鄰信道的信號。

9.根據權利要求6的半導體集成電路，

還包括第一增益控制放大器(PGA11)和第二增益控制放大器(PGA21)，

其中，來自所述第一低噪聲放大器的第一輸出RF信號通過所述第一低通濾波器被輸入到所述第一增益控制放大器，

其中，來自所述第二低噪聲放大器的第二輸出RF信號通過所述第二低通濾波器被輸入到所述第二增益控制放大器。

10.根據權利要求6的半導體集成電路，

還包括產生第一RF振蕩信號(φRF1)和第二RF振蕩信號(φRF2)的RF振蕩電路(262)，

其中，所述第一RF振蕩信號(φRF1)被輸入用于對來自所述第一低噪聲放大器的所述第一輸出RF信號進行降頻轉換的所述第一混頻電路，

其中，所述第二RF振蕩信號(φRF2)被輸入用于對來自所述第二低噪聲放大器的所述第二輸出RF信號進行降頻轉換的所述第二混頻電路。