[發明專利]發光元件的制造方法

無效

• 申請號: 201010284132.3
• 申請日: 2010-09-13
• 公開（公告）號: CN102024641A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 三井田淳;友野晴夫
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H01J9/22
• 分類號: H01J9/22
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李帆

技術領域

本發明涉及包括發光層和反光層的發光元件的制造方法。

背景技術

使用陰極發光的顯示器件中，通過用電子照射熒光層從而使透明基板上的熒光層發光。電子通過對金屬層設定陽極電勢而加速，該金屬層設置在透明基板相反側的熒光層上，因此電子穿透金屬層以照射熒光層。有效地利用金屬層作為反光層，將從熒光層到透明基板側發射的光進行高效提取。

為了提高反光層的反射率，反光層的熒光層側(反射平面)需要是平坦的。形成平坦反射平面的方法是已知的。該方法中，反光層形成于平坦樹脂層(平坦化樹脂層)上，平坦樹脂層形成于熒光層上，接著通過燒成(firing)除去該樹脂層以使反光層具有粗糙度小于發光層的較光滑表面。

日本專利公開No.8-315730公開了具有不同燒成溫度的有機樹脂的混合物作為平坦化樹脂層的材料。

當燒成除去樹脂層時，會在反光層內不合需要地形成裂紋或針眼。反光層內的許多裂紋或針眼導致反光層的低反射率，并且導致亮度不足或發光不均一。

發明內容

根據本發明的方面，提供了包括發光層和反光層的發光元件的制造方法，所述發光層含有多個發光顆粒。該方法包括制備包括發光層、設置在該發光層上的樹脂層和設置在該樹脂層上的反光層的多層復合材料，和利用熱分解除去該樹脂層。所述樹脂層含有固體樹脂和分散于該固體樹脂內的多個樹脂顆粒。通過熱重分析測定的樹脂顆粒的質量減少達到70％的溫度低于通過熱重分析測定的固體樹脂的質量減少達到70％的溫度。

通過下述參考附圖對示例性實施方案的描述，本發明的進一步特征將顯而易見。

附圖說明

圖1A到1E示意表示根據本發明實施方案的發光元件的制造方法。

圖2A到2C示意表示根據本發明實施方案的發光元件。

具體實施方式

參考附圖1A到1E，按步驟順序對根據本發明實施方案的發光元件的制造方法進行描述。如圖1E中所示，本實施方案的發光元件10包括發光層2和反光層6。在如下狀態下使用發光元件10：將其設置在透明基板1上以使發光層2位于透明基板1和反光層6之間。發光元件10可形成在透明基板1上。

(步驟1)如圖1A中所示，制備具有發光層2的透明基板1。

透明基板1能至少透射具有發光層2的發射波長的光，并且能透射波長360到830nm的可見光。所述基板與樹脂層3(后述)的燒成溫度相比也具有足夠高的耐熱性。典型的透明基板包括玻璃基板，例如石英玻璃和鈉鈣玻璃。

發光層2形成于透明基板1上。發光層2含有多個(一般大量)發光顆粒20，甚至可以主要含有發光顆粒20。構成每一發光顆粒20的發光材料可以是磷光體。所述磷光體包括產生熒光的熒光材料和產生磷光的磷光材料中的至少一種。發光層2可進一步含有將發光顆粒20相互粘合或將發光顆粒20固定到透明基板1的其它材料。

根據發光顆粒20的形狀和配置，發光層2在其表面具有凹凸。凹凸程度(表面粗糙度)主要取決于發光顆粒20的大小。許多情況下，發光顆粒20的大小有變化，凹凸程度與發光顆粒20的中位直徑緊密相關。

此處提到的“中位直徑”是指統計值并且由具有粒徑D以上的顆粒數目占顆粒總數的50％時粒徑分布中的粒徑D定義。上述粒徑分布是指按照等同球體直徑的數目粒徑分布，并且可通過動態光散射或激光衍射散射進行測定。粒徑的進一步信息可參考JIS?Z8901-2006。“表面粗糙度”可利用由JIS?B0601-2001定義的算術平均表面粗糙度進行評價。

如果發光顆粒20的中位直徑顯著降低，發光層2的凹凸降低，并且本發明的效果相應變小。如果將中位直徑小于2μm的普通熒光材料用作發光顆粒20，發光層2的亮度會顯著降低。相反地，如果發光顆粒20的中位直徑顯著增加，發光層2的凹凸增加，并且相應地不能提供足夠平坦的反光層6。如果發光顆粒20的中位直徑增加到超過10μm，提供高清晰度發光元件或均勻發光變得困難。本實施方案中，可有利地利用中位直徑在2到10μm范圍內的發光顆粒20。

通過將含有大量發光顆粒的糊劑施涂于透明基板1上，然后燒成可形成發光層2。糊劑的施涂可采用例如印刷法，如絲網印刷或膠版印刷、或浸漬、噴涂或旋涂而進行。通過燒成施涂的糊劑，除去糊劑中的有機溶劑，使得發光顆粒20形成發光層。得到的發光層2邏輯上厚度不小于發光顆粒20的中位直徑。發光層2的厚度的上限沒有特別限定，但實用上為25μm或更小并且可為15μm或更小。可以認為甚至在糊劑已被施涂和燒成后糊劑中發光顆粒的中位直徑不會變化，并且與發光層2中的發光顆粒20相同。