[發(fā)明專(zhuān)利]包括電阻器的半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010283670.0
• 申請(qǐng)日: 2010-09-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102024822A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸允文;金建秀;辛鎮(zhèn)鉉;沈載煌
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/115
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/115;H01L27/02;H01L27/06;H01L21/8247
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 戎志敏

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

模型圖案，被布置在半導(dǎo)體襯底上以限定溝槽；

電阻圖案，包括本體區(qū)以及第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)，本體區(qū)覆蓋溝槽的底部和側(cè)壁，第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)分別在模型圖案的上表面上從本體區(qū)開(kāi)始延伸；以及

第一線和第二線，分別接觸第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第一導(dǎo)電圖案，被布置在第一線與第一接觸區(qū)之間；以及

第二導(dǎo)電圖案，被布置在第二線與第二接觸區(qū)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

本體區(qū)的底部和側(cè)壁限定溝槽上的間隙區(qū)；以及

半導(dǎo)體器件還包括用于使第一接觸區(qū)和第二接觸區(qū)的頂面外露并填充間隙區(qū)的絕緣層結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

半導(dǎo)體襯底包括電阻區(qū)和單元陣列區(qū)，在所述電阻區(qū)形成電阻圖案，在所述單元陣列區(qū)形成存儲(chǔ)單元；

存儲(chǔ)單元包括下部柵極結(jié)構(gòu)和上部柵極結(jié)構(gòu)，所述下部柵極結(jié)構(gòu)和上部柵極結(jié)構(gòu)順序地堆疊在半導(dǎo)體襯底上；

下部柵極結(jié)構(gòu)包括順序地堆疊的隧道絕緣層和浮置柵電極；以及

模型圖案包括第一薄層結(jié)構(gòu)，所述第一薄層結(jié)構(gòu)包括與下部柵極結(jié)構(gòu)相同的材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中：

上部柵極結(jié)構(gòu)包括順序地堆疊的柵極層間絕緣層、第一控制電極、第二控制電極以及第三控制電極；

模型圖案還包括由與柵極層間絕緣層和第一控制電極相同的材料形成的第二薄層結(jié)構(gòu)；以及

電阻圖案具有與第二控制電極相同的材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第一導(dǎo)電圖案，被布置在第一線與第一接觸區(qū)之間；以及

第二導(dǎo)電圖案，被布置在第二線與第二接觸區(qū)之間，

其中，第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案包括與第三控制電極相同的材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

器件隔離層，被布置在電阻圖案的本體區(qū)與半導(dǎo)體襯底之間，

其中，器件隔離層包括在本體區(qū)之下的中間部分以及從中間部分延伸到第一薄層結(jié)構(gòu)與本體區(qū)之間的側(cè)壁。

8.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成模型圖案以限定溝槽；

在模型圖案上形成電阻圖案以在溝槽上穿過(guò)；

在電阻圖案上形成彼此隔開(kāi)的第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案；以及

形成分別與第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案接觸的第一線和第二線，

其中，分別在模型圖案的上表面上形成第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，形成電阻圖案包括：

在半導(dǎo)體襯底上形成電阻層，所述電阻層保形地覆蓋模型圖案并且限定溝槽上的間隙區(qū)；

在電阻層上形成填充絕緣層以填充間隙區(qū)；以及

形成絕緣層結(jié)構(gòu)，以通過(guò)對(duì)填充絕緣層進(jìn)行蝕刻使電阻層的頂面外露，并局部地填充間隙區(qū)，

其中，形成第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案包括：通過(guò)執(zhí)行硅化物工藝在電阻層的外露頂面上局部地形成硅化物圖案。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中：

半導(dǎo)體襯底包括電阻區(qū)和單元陣列區(qū)，在所述電阻區(qū)形成電阻圖案，在所述單元陣列區(qū)布置存儲(chǔ)單元；

存儲(chǔ)單元包括下部柵極結(jié)構(gòu)和上部柵極結(jié)構(gòu)，所述下部柵極結(jié)構(gòu)和上部柵極結(jié)構(gòu)順序地堆疊在半導(dǎo)體襯底上；

下部柵極結(jié)構(gòu)包括順序地堆疊的隧道絕緣層和浮置柵電極；

上部柵極結(jié)構(gòu)包括順序地堆疊的柵極層間絕緣層、第一控制電極、第二控制電極以及第三控制電極；

使用形成下部柵極結(jié)構(gòu)、柵極層間絕緣層以及第一控制電極的工藝來(lái)形成模型圖案；

使用形成第二控制電極的工藝來(lái)形成電阻圖案；以及

使用形成第三控制電極的工藝來(lái)形成第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案。