[發明專利]利用飛秒激光制備金屬-半導體接觸電極的方法

無效

• 申請號: 201010283562.3
• 申請日: 2010-09-15
• 公開（公告）號: CN102005378A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 徐曉娜;李越強;王曉東;楊富華
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種利用飛秒激光制備金屬-半導體接觸電極的方法，包括如下步驟：

步驟1：在晶片表面涂布抗蝕劑；

步驟2：采用飛秒激光直寫技術，在抗蝕劑表面形成圖形；

步驟3：采用電子束蒸發技術，在圖形的表面蒸發金屬，使金屬附著于圖形的上面，同時該金屬還附著于剩余抗蝕劑的上面；

步驟4：剝離晶片表面涂布的抗蝕劑，并同時剝離掉抗蝕劑上面的金屬，得到金屬-半導體接觸電極。

2.如權利要求1所述的利用飛秒激光制備金屬-半導體接觸電極的方法，其中晶片是砷化鎵晶片。

3.如權利要求1所述的利用飛秒激光制備金屬-半導體接觸電極的方法，其中抗蝕劑是電子束膠或光刻膠。

4.如權利要求1所述的利用飛秒激光制備金屬-半導體接觸電極的方法，其中抗蝕劑的厚度為10納米到0.1微米。