[發明專利]固體攝像器件、固體攝像器件制造方法以及電子裝置

有效

• 申請號: 201010283534.1
• 申請日: 2010-09-16
• 公開（公告）號: CN102034835A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 田谷圭司;古閑史彥;永野隆史
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;武玉琴

1.一種固體攝像器件，其包括：

第一導電型半導體阱區域；

多個像素，各個所述像素均形成在所述半導體阱區域上并由光電轉換部和像素晶體管構成；

設置在所述像素之間及所述像素中的元件隔離區域；以及

不包含絕緣膜并被設置在所需像素晶體管之間的元件隔離區域。

2.如權利要求1所述的固體攝像器件，其中，所述不包含絕緣膜并被設置在所需像素晶體管之間的元件隔離區域也兼作用于向所述半導體阱區域施加固定電壓的阱接觸部。

3.如權利要求2所述的固體攝像器件，其中，

所述像素被形成為共用像素，所述共用像素由多個光電轉換部和被共用的像素晶體管構成；

所述像素至少在位于所述阱接觸部下方及處于相鄰光電轉換部之間的元件隔離區域中包括雜質擴散區域；并且

所述阱接觸部形成在所述被共用的像素晶體管的區域中。

4.如權利要求3所述的固體攝像器件，其中，所述阱接觸部是按照與周邊電路部的CMOS晶體管的第一導電型源極/漏極區域部所用工序同步的工序形成的第一導電型阱接觸部。

5.如權利要求4所述的固體攝像器件，還包括與所述共用像素中的各個所述光電轉換部相鄰設置的偽電極。

6.如權利要求2所述的固體攝像器件，其中，

各個所述像素均由一個光電轉換部和像素晶體管構成；

各個所述像素至少在位于所述阱接觸部下方及處于相鄰光電轉換部之間的元件隔離區域中包括雜質擴散區域；并且

所述阱接觸部形成在相鄰像素晶體管之間的區域中。

7.如權利要求6所述的固體攝像器件，其中，所述阱接觸部是按照與周邊電路部的CMOS晶體管的第一導電型源極/漏極區域部所用工序同步的工序形成的第一導電型阱接觸部。

8.一種固體攝像器件制造方法，其包括如下步驟：

在半導體基板的像素區域中形成第一導電型半導體阱區域；

在所述半導體阱區域上形成像素晶體管的柵極電極，且所述半導體阱區域與所述柵極電極二者之間隔著柵極絕緣膜；

通過在形成所述柵極電極的步驟之前和之后進行的雜質離子注入，形成光電轉換部；

在形成所述柵極電極的步驟之前或之后的時刻，至少在相鄰的光電轉換部之間及彼此相鄰的所需像素晶體管之間形成用于構成元件隔離區域的第一導電型雜質擴散區域；以及

形成所述像素晶體管的第二導電型源極/漏極區域，并且在用于構成所述位于彼此相鄰的所需像素晶體管之間的元件隔離區域的所述第一導電型雜質擴散區域的表面上，形成用于向所述半導體阱區域施加固定電壓且還兼作元件隔離區域的第一導電型阱接觸部。

9.如權利要求8所述的固體攝像器件制造方法，其中，所述第一導電型阱接觸部與周邊電路部的CMOS晶體管的第一導電型源極/漏極區域是同時形成的。

10.如權利要求9所述的固體攝像器件制造方法，其中，

在形成像素的步驟中，形成由多個光電轉換部和被共用的像素晶體管構成的共用像素；并且

在形成所述阱接觸部的步驟中，所述阱接觸部是在所述被共用的像素晶體管的區域中形成的。

11.如權利要求10所述的固體攝像器件制造方法，其中，在形成所述柵極電極的步驟中，同時形成偽電極。

12.如權利要求9所述的固體攝像器件制造方法，其中，

在形成像素的步驟中，形成由一個光電轉換部和像素晶體管構成的像素；并且

在形成所述阱接觸部的步驟中，所述阱接觸部是在相鄰像素晶體管之間的區域中形成的。

13.一種電子裝置，其包括：

光學系統；

固體攝像器件；以及

信號處理電路，它被配置成處理所述固體攝像器件的輸出信號，

其中，所述固體攝像器件包括：

第一導電型半導體阱區域；

多個像素，各個所述像素均形成在所述半導體阱區域上并由光電轉換部和像素晶體管構成；

設置在所述像素之間及所述像素中的元件隔離區域；以及

阱接觸部，它形成在所需像素晶體管之間，也兼作不包含絕緣膜的元件隔離區域，并且用于向所述半導體阱區域施加固定電壓。