[發(fā)明專利]壓電元件、壓電執(zhí)行器、液體噴射頭及液體噴射裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010282918.1 | 申請日： | 2010-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN102024902A | 公開（公告）日： | 2011-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 兩角浩一;原壽樹;加藤治郎;傅田聰 | 申請（專利權(quán)）人： | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號： | H01L41/187 | 分類號： | H01L41/187;H01L41/083;B41J2/045 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人： | 陳海紅;劉瑞東 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 壓電 元件 執(zhí)行 液體 噴射 裝置 | ||
1.一種壓電元件，其特征在于，包括：
第1導(dǎo)電層；
第2導(dǎo)電層，其與上述第1導(dǎo)電層相對向配置；以及
壓電體層，其在上述第1導(dǎo)電層和上述第2導(dǎo)電層之間配置，由至少包含鉛、鋯、鈦和氧的復(fù)合氧化物形成；
上述壓電體層包括在上述壓電體層的上述第1導(dǎo)電層側(cè)的端配置的第1晶體層和與上述第1晶體層連續(xù)、與上述第1晶體層相比靠上述第2導(dǎo)電層側(cè)配置的第2晶體層，
上述壓電體層的鉛的濃度在上述第1晶體層的上述第1導(dǎo)電層側(cè)比在上述第2晶體層的上述第2導(dǎo)電層側(cè)低，
上述壓電體層的氧的濃度在上述第1晶體層的上述第1導(dǎo)電層側(cè)比在上述第2晶體層的上述第2導(dǎo)電層側(cè)高。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的壓電元件，其特征在于，
上述第1晶體層的上述第1導(dǎo)電層側(cè)的氧的濃度比上述第2晶體層的上述第2導(dǎo)電層側(cè)的氧的濃度高4.7原子％以上8.7原子％以下的范圍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的壓電元件，其特征在于，
上述壓電體層的各元素的濃度利用相對敏感度因子測定，該相對敏感度因子使用盧瑟福背散射法和俄歇電子光譜法確定。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3的任一項的壓電元件，其特征在于，
上述第1晶體層和上述第2晶體層的合計厚度為上述壓電體層的厚度的20分之一以上3分之一以下。
5.一種壓電執(zhí)行器，其特征在于，包括：
根據(jù)權(quán)利要求1～4的任一項所述的壓電元件；和
振動板，其與上述第1導(dǎo)電層或上述第2導(dǎo)電層連接設(shè)置，具有可撓性。
6.一種液體噴射頭，其特征在于，包括：
根據(jù)權(quán)利要求5所述的壓電執(zhí)行器；和
壓力室，其與噴嘴孔連通，由上述壓電執(zhí)行器的動作改變?nèi)莘e。
7.一種液體噴射裝置，其特征在于，包括：
根據(jù)權(quán)利要求6所述的液體噴射頭。
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