[發明專利]鍍膜件及其制作方法

有效

• 申請號: 201010282300.5
• 申請日: 2010-09-15
• 公開（公告）號: CN102400138A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;黃嘉
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C28/00
• 分類號: C23C28/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鍍膜件，包括一基材、一催化層、一結合層和一疏水層，所述催化層形成于基材上，所述結合層形成于催化層上，所述疏水層形成于結合層上，其特征在于：該催化層為一Sn膜層，該結合層為一含Ti、Sn、SnO₂和TiO₂的膜層，該疏水層為一Si-N膜層。

2.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述催化層、結合層和疏水層的厚度范圍均為0.5μm～1.0μm。

3.如權利要求1所述的鍍膜件，其特征在于：所述基材為金屬材料或為玻璃、塑料。

4.一種鍍膜件的制作方法，其包括如下步驟：

提供一基材；

在該基材表面磁控濺射一Sn膜層；

在該Sn膜層上磁控濺射一Ti膜層；

對形成有Sn膜層和Ti膜層的基材在真空室中進行熱氧化處理，使該二膜層中的部分Sn及部分Ti氧化生成SnO₂和TiO₂，形成一含Ti、Sn、SnO₂和TiO₂的結合層；

在該結合層上磁控濺射一疏水層，該疏水層為一Si-N膜層。

5.如權利要求4所述的鍍膜件的制作方法，其特征在于：所述熱氧化處理的條件為：以加熱速度為15-30℃/min，加熱至400～700℃，并保溫40～90min。

6.如權利要求5所述的鍍膜件的制作方法，其特征在于：所述氧氣的體積百分比含量低于真空室中氣體的2％。

7.如權利要求4所述的鍍膜件的制作方法，其特征在于：濺射所述Sn膜層以Sn為靶材，對Sn靶施加-100～-200V的偏壓，鍍膜溫度為50～100，以氬氣為工作氣體，其流量設為300～500sccm。

8.如權利要求4所述的鍍膜件的制作方法，其特征在于：濺射所述Ti膜層以Ti為靶材，對Ti靶施加-150～-200V的偏壓，真空室溫度為120～200，以氬氣為工作氣體，其流量為300～500sccm。

9.如權利要求4所述的鍍膜件的制作方法，其特征在于：濺射所述疏水層以Si為靶材，對Si靶施加-150～-200V的偏壓，真空室溫度為150～200，以氮氣為反應性氣體，氮氣的流量為100～200sccm；以氬氣為工作氣體，其流量為300～500sccm。