[發明專利]低成本大畫面廣視野角高速回應液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201010282111.8
• 申請日: 2007-04-10
• 公開（公告）號: CN101950102A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: 田中榮;鮫島俊之
• 申請（專利權）人: 三國電子有限會社
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1333;H01L21/77;H01L27/02
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種MVA模式用主動矩陣基板的制造方法，該基板構成主動矩陣顯示裝置，其特征為：使用下述3次光微影步驟來制造：

1)形成柵極電極、像素電極、共享電極及像素電極內接觸焊墊(第一次的使用半色調曝光法的光微影步驟)，

2)形成薄膜半導體層組件分離、及接觸孔(第二次的使用半色調曝光法的光微影步驟)，

3)形成源極(Source)電極、漏極(Drain)電極及配向方向控制電極(使用一般的普通曝光法的光微影步驟)，

干式蝕刻薄膜晶體管的通道部的奧姆接觸層后，使用屏蔽沉積法局部成膜硅氮化膜鈍化層(不在柵極電極端子部、源極電極端子部及共享電極端子部上成膜)。

2.一種MVA模式用主動矩陣基板的制造方法，該基板構成主動矩陣顯示裝置，其特征為：使用下述3次光微影步驟來制造：

3)形成柵極電極、像素電極及像素電極內接觸焊墊(第一次的使用半色調曝光法的光微影步驟)，

4)形成薄膜半導體層組件分離、及接觸孔(第二次的使用半色調曝光法的光微影步驟)，

5)形成源極電極、漏極電極、配向方向控制電極及共享電極(使用一般的普通曝光法的光微影步驟)，

干式蝕刻薄膜晶體管的通道部的奧姆接觸層后，使用屏蔽沉積法局部成膜硅氮化膜鈍化層(不在柵極電極端子部、源極電極端子部及共享電極端子部上成膜)。

3.一種MVA模式用主動矩陣型液晶顯示裝置，是使用權利要求1所述或2所述的制造方法來制造。

4.一種MVA模式用主動矩陣型液晶顯示裝置，是使用權利要求2所述的制造方法來制造，其特征為：將1個基本單位像素形成約2∶1的面積，而在縱方向上通過影像信號線分割成2個，被分割成2個的像素電極分別連接于各個薄膜晶體管組件，2個薄膜晶體管組件的源極電極連結于將像素分割成2個的影像信號線，上述2個薄膜晶體管組件通過同一條掃描線切換控制，上述被分割成2個的像素電極分別經由與影像信號布線平行地排列的不同的共享電極與絕緣膜，而形成電容器，且在與上述影像信號布線平行地排列的奇數號行與偶數號行的共享電極上，施加有以水平掃描周期彼此極性反轉的不同極性的信號電壓，通過影像信號線，于分割成2個的像素電極中，在面積小的像素電極的液晶分子上施加比面積大的像素電極的液晶分子大的有效電壓信號。