[發明專利]雙金屬電極脈沖直流偏置電沉積制備納米金屬顆粒的方法

有效

• 申請號: 201010282103.3
• 申請日: 2010-09-15
• 公開（公告）號: CN102367582A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發明（設計）人: 涂江平
• 申請（專利權）人: 北京奈艾斯新材料科技有限公司
• 主分類號: C25C5/02
• 分類號: C25C5/02;C25C7/02;C25C7/06
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司 11252
• 代理人: 尚世浩

1.雙金屬電極脈沖直流偏置電沉積制備納米金屬顆粒的方法，其特征在于將兩片金平行并列放入裝有電解質水溶液的電解槽中，兩塊金屬板分別連接脈沖直流偏置電源的正、負極，室溫下，施加波形為方波，脈沖頻率為60～100Hz，脈沖電壓幅值為8～12V，偏置電壓為2～5V，偏置電流密度為0.005～0.05A/dm²的脈沖直流偏置電流，獲得粒徑為3～30nm的金屬溶膠。

2.根據權利要求1所述的雙金屬電極脈沖直流偏置電沉積制備納米金屬顆粒的方法，其特征在于所述的兩塊金屬板之間的距離為3～10cm。

3.根據權利要求1所述的雙金屬電極脈沖直流偏置電沉積制備納米金屬顆粒的方法，其特征在于所述的電解質水溶液中為氯酸鹽

4.根據權利要求1所述的雙金屬電極脈沖直流偏置電沉積制備納米金屬顆粒的方法，其特征在于所述的電解質水溶液是硝酸鹽和亞硫酸鈉組合的濃度為0.06～0.1mol/L的弱酸性溶液。

5.根據權利要求1所述的雙金屬電極脈沖直流偏置電沉積制備納米金屬顆粒的方法，其特征在于所述的電解質水溶液是濃度為0.05～0.08mol/L的氨基磺酸鹽堿性溶液。

6.根據權利要求1所述的雙金屬電極脈沖直流偏置電沉積制備納米金屬顆粒的方法，其特征在于所述的電解質水溶液中加入聚乙烯吡咯烷酮和木質素作為表面活性劑和分散劑，聚乙烯吡咯烷酮的質量濃度為該電解質水溶液總質量的0.5～3.0％，木質素的質量濃度為該電解質水溶液總質量的0.2～0.8％。

7.根據權利要求1所述的雙金屬電極脈沖直流偏置電沉積制備納米金屬顆粒的方法，其特征在于采用純度超過99.94％的高純金屬。

8.根據權利要求1所述的雙金屬電極脈沖直流偏置電沉積制備納米金屬顆粒的方法，其特征在于陽極、陰極的金屬片的厚度為0.05～5mm。