[發(fā)明專利]集成電路和電子設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010281753.6 | 申請日: | 2010-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN102024810A | 公開(公告)日: | 2011-04-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 信方浩美 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/58;G06K19/077 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 宋鶴;南霆 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 電子設備 | ||
1.一種集成電路,包括:
半導體電路層;
形成在所述半導體電路層上的金屬層,所述金屬層之一是其中形成有有源屏蔽的金屬層;以及
通過在位于所述其中形成有有源屏蔽的金屬層之下的金屬層中的至少一個金屬層中形成圖案而形成的天線,
所述半導體電路層包括
加密電路,其被配置為接收驅(qū)動電壓并執(zhí)行加密運算,
電源電路,其被配置為向所述加密電路提供所述驅(qū)動電壓,以及
電路系統(tǒng),其被配置為從外部電源接收電源電壓。
2.如權利要求1所述的集成電路,其中,所述電源電路包括
整流電路,其連接到所述天線并且被配置為對在所述天線中生成的電動勢進行整流,
平滑電路,其被配置為使所述整流電路的輸出平滑以獲得電壓,
恒定電壓發(fā)生電路,其被配置為從經(jīng)所述平滑電路平滑的電壓生成一作為恒定電壓的電壓,使得所生成的電壓和來自所述外部電源的電源電壓是相同的電位,以及
穩(wěn)壓單元,其被配置為使已被所述恒定電壓發(fā)生電路生成為恒定電壓的電壓穩(wěn)定,并且被配置為把經(jīng)穩(wěn)定的電壓作為所述驅(qū)動電壓提供給所述加密電路。
3.如權利要求2所述的集成電路,
其中所述電源電路包括
第一電源線,以及
第一基準電源線,并且
所述整流電路包括
與所述第一電源線相連的第一輸出端子,以及
與所述第一基準電源線相連的第二輸出端子,并且
其中所述電路系統(tǒng)包括
與所述外部電源相連的第二電源線,以及
與外部基準電源相連的第二基準電源線,并且
其中所述電源電路的恒定電壓發(fā)生電路包括
比較器,其被配置為將第一電壓與第二電壓相比較,所述第一電壓是通過劃分所述第一電源線與所述第一基準電源線之間端子電壓而獲得的,所述第二電壓是通過劃分所述第二電源線與所述第二基準電源線之間的端子電壓而獲得的,以及
晶體管,其被布置在所述第一電源線上并且其控制端子連接到所述比較器的輸出。
4.如權利要求3所述的集成電路,
其中,當在所述恒定電壓發(fā)生電路中所述第一電壓低于所述第二電壓時,所述晶體管被從所述比較器的輸出端輸出的信號導通,使得所述恒定電壓發(fā)生電路向所述穩(wěn)壓單元提供電荷,并且
其中,當在所述恒定電壓發(fā)生電路中所述第一電壓高于所述第二電壓時,所述晶體管被從所述比較器的輸出端輸出的信號關斷,使得所述恒定電壓發(fā)生電路停止向所述穩(wěn)壓單元提供電荷。
5.如權利要求1至4中任一個所述的集成電路,
其中所述電源電路包括
第一電源線,以及
第一基準電源線,并且
所述整流電路包括
與所述第一電源線相連的第一輸出端子,以及
與所述第一基準電源線相連的第二輸出端子,并且
其中所述電路系統(tǒng)包括
與所述外部電源相連的第二電源線,以及
與外部基準電源相連的第二基準電源線,并且
其中所述第二電源線和所述穩(wěn)壓單元的輸出側上的所述第一電源線經(jīng)由晶體管相互連接,所述晶體管的控制端子連接到用來提供測試信號的線路。
6.如權利要求1至4中任一個所述的集成電路,還包括:
與所述加密電路并聯(lián)的電容器;以及
開關,其被配置為能夠向所述電容器和所述加密電路選擇性地提供由所述電源電路生成并穩(wěn)定的電壓或者來自所述外部電源的電源電壓,
其中,當在所述加密電路中執(zhí)行加密運算時,所述開關向所述電容器和所述加密電路提供由所述電源電路生成并穩(wěn)定的電壓,并且
其中,除了當執(zhí)行所述加密運算時之外,所述開關向所述電容器和所述加密電路提供來自所述外部電源的電源電壓。
7.如權利要求6所述的集成電路,其中,根據(jù)在所述天線中生成的電動勢生成的電壓與外部輸入時鐘信號的AND信號作為時鐘被輸入到所述加密電路。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





