[發明專利]金屬氧化物半導體場效晶體管布局及結構

無效

• 申請號: 201010281515.5
• 申請日: 2010-09-13
• 公開（公告）號: CN102403310A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 余仲哲;彭國偉;李立民
• 申請（專利權）人: 登豐微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/06;H01L29/08
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

1.一種金屬氧化物半導體場效晶體管布局，其特征在于，包含：

一漏極區；

一柵極區，位于該漏極區的外側并鄰接該漏極區；

一源極區，具多個源極區塊，位于該柵極區的外側并鄰接該柵極區，該些源極區塊之中任兩相鄰的源極區塊之間有一源極空白區域；以及

一基極區，具有至少兩基極部，分別位于該些源極空白區域，并鄰接該柵極區。

2.根據權利要求1所述的金屬氧化物半導體場效晶體管布局，其特征在于，每一該基極部對應鄰接四個源極區塊。

3.根據權利要求1或2所述的金屬氧化物半導體場效晶體管布局，其特征在于，每一該源極區塊對應鄰接一個基極部。

4.根據權利要求1所述的金屬氧化物半導體場效晶體管布局，其特征在于，每一該基極部對應鄰接三個源極區塊。

5.根據權利要求1所述的金屬氧化物半導體場效晶體管布局，其特征在于，該柵極區具有兩柵極窗區，使該柵極區未完全圍住該漏極區。

6.根據權利要求5所述的金屬氧化物半導體場效晶體管布局，其特征在于，該基極區的該兩基極部分別對應該兩柵極窗區。

7.一種金屬氧化物半導體場效晶體管結構，其特征在于，包含：

一第一金屬氧化物半導體場效晶體管，包含：

一第一漏極；

一第一柵極，位于該第一漏極的外側并鄰接該第一漏極；

一第一源極，位于該第一柵極的外側并鄰接該第一柵極；以及

一第一基極，具有至少兩第一基極部，位于該第一柵極的外側并鄰接該第一源極；以及

一第二金屬氧化物半導體場效晶體管，包含：

一第二漏極；

一第二柵極，位于該第二漏極的外側并鄰接該第二漏極；

一第二源極，位于該第二柵極的外側并鄰接該第二柵極；以及

一第二基極，具有至少兩第二基極部，位于該第二柵極的外側并鄰接該第二源極；

其中，該第一源極的部分區域與該第二源極的部分區域共享。

8.根據權利要求7所述的金屬氧化物半導體場效晶體管結構，其特征在于，該第一源極具有多個第一源極區塊且每一該第一源極區塊鄰接該些第一基極部的至少其中之一，該第二源極具有多個第二源極區塊且每一該第二源極區塊鄰接該些第二基極部的至少其中之一。

9.根據權利要求7所述的金屬氧化物半導體場效晶體管結構，其特征在于，該第一基極鄰接該第一柵極，且該第二基極鄰接該第二柵極。

10.根據權利要求7～9任一權利要求所述的金屬氧化物半導體場效晶體管結構，其特征在于，該第一基極的至少一第一基極部與該第二基極的至少一第二基極部共享。

11.根據權利要求8所述的金屬氧化物半導體場效晶體管結構，其特征在于，該第一漏極為四邊形，每一邊對應一個第一源極區塊。

12.根據權利要求11所述的金屬氧化物半導體場效晶體管結構，其特征在于，該第一漏極具有四個轉角，且該第一基極的該兩第一基極部分別對應該四個轉角中的兩個轉角。

13.根據權利要求11所述的金屬氧化物半導體場效晶體管結構，其特征在于，該第一柵極具有兩延伸區，該兩延伸區對應該四個轉角中的另兩個轉角，該兩延伸區的其中之一用以連接該第二柵極。

14.根據權利要求8所述的金屬氧化物半導體場效晶體管結構，其特征在于，該第一漏極為六邊形，每一邊對應一第一源極區塊。