[發(fā)明專利]負(fù)離子遠(yuǎn)紅外營養(yǎng)衛(wèi)生巾功能體芯片的原料及制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010281246.2
• 申請日: 2010-09-13
• 公開（公告）號: CN101954112A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭蕾
• 申請（專利權(quán)）人: 彭蕾
• 主分類號: A61L15/26
• 分類號: A61L15/26;A61L15/24;A61L15/42;A61L15/44;A61N5/06;A61N1/44;D04H1/46;D06B1/02;D06B3/18;D06M15/263;D06M11/76;D06M13/342;D06M101/32
• 代理公司: 東莞市中正知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 44231
• 代理人: 李夠生

1.一種負(fù)離子遠(yuǎn)紅外營養(yǎng)衛(wèi)生巾和衛(wèi)生護(hù)墊功能體芯片的原料，其特征在于：包括負(fù)離子遠(yuǎn)紅外保健功能的無紡布和珍珠整理液；所述負(fù)離子遠(yuǎn)紅外保健功能的無紡布的原料配比是：負(fù)離子遠(yuǎn)紅外功能滌綸短纖維占90～95％、低熔點(diǎn)巨乙烯纖維占2.5～5％和低熔點(diǎn)巨丙烯纖維占2.5～5％；所述珍珠整理液的原料配比是：珍珠納米粉100nm占0.5～3.0％、綠色色素基料占0.3～1.0％、乳化劑占0.5～3.0％、黏合劑占1.0～5.0％、有機(jī)硅消泡劑占0.002～0.01％和水占95.198～90.49％。

2.如權(quán)利要求1所述的負(fù)離子遠(yuǎn)紅外營養(yǎng)衛(wèi)生巾和衛(wèi)生護(hù)墊功能體芯片的原料，其特征在于：所述乳化劑為非離子型、陰離子型或陽離型。

3.如權(quán)利要求1所述的負(fù)離子遠(yuǎn)紅外營養(yǎng)衛(wèi)生巾和衛(wèi)生護(hù)墊功能體芯片的原料，其特征在于：所述乳化劑為脂肪醇巨氧乙烯醚，烷基酚巨氧乙稀醚，脂肪酸失水山黎醇酯或脂肪酸失水山黎醇酯巨氧乙烯醚。

4.如權(quán)利要求1所述的負(fù)離子遠(yuǎn)紅外營養(yǎng)衛(wèi)生巾和衛(wèi)生護(hù)墊功能體芯片的原料，其特征在于：所述消泡劑為有機(jī)硅消泡劑。

5.如權(quán)利要求1所述的負(fù)離子遠(yuǎn)紅外營養(yǎng)衛(wèi)生巾和衛(wèi)生護(hù)墊功能體芯片的原料，其特征在于：所述黏合劑為聚丙烯酸酯類黏合劑。

6.一種如權(quán)利要求1所述的負(fù)離子遠(yuǎn)紅外營養(yǎng)衛(wèi)生巾和衛(wèi)生護(hù)墊功能體芯片的制備方法，其特征在于：包括以下工藝步驟：1).制作具有負(fù)離子遠(yuǎn)紅外保健功能的無紡布；2).配制珍珠整理液；3).使用珍珠整理液對無紡布進(jìn)行噴灑或浸軋工藝處理；4).將得到具有負(fù)離子遠(yuǎn)紅外營養(yǎng)功能的無紡布，最后再經(jīng)過分切，就是衛(wèi)生巾和衛(wèi)生護(hù)墊的功能體芯片。

7.如權(quán)利要求6所述的負(fù)離子遠(yuǎn)紅外營養(yǎng)衛(wèi)生巾和衛(wèi)生護(hù)墊功能體芯片的制備方法，其特征在于：所述第1)步的工藝流程依次為：纖維原料準(zhǔn)備、干法梳理成岡、纖維岡機(jī)械加固、針刺法或水刺法、烘燥、針刺無紡布或水刺無紡布；其中，纖維長度范圍為30mm～50mm；制造的無紡布密度為：針刺無紡布60g～80g/m²、水刺無紡布40g～60g/m²。

8.如權(quán)利要求6所述的負(fù)離子遠(yuǎn)紅外營養(yǎng)衛(wèi)生巾和衛(wèi)生護(hù)墊功能體芯片的制備方法，其特征在于：所述第2)步的工藝流程依次為：首先，以珍珠為原料，去除珍珠表膜螢光，鉛、汞等重金屬，經(jīng)過篩選，提純后，采用納米技術(shù)，再以低溫干燥技術(shù)處理，制備出平均粒徑在100納米左右的超細(xì)珍珠粉；然后，在安裝有攪拌機(jī)的容器中加入水，然后加入綠色色素基料，乳化劑，低速攪拌至均勻的溶液，然后加入珍珠粉納米微粒，消泡劑，高速充分?jǐn)嚢杈鶆颍D(zhuǎn)速為3000-4000轉(zhuǎn)/分，靜置待用；使用前再加入黏合劑同時攪拌均勻即可。

9.如權(quán)利要求7所述的負(fù)離子遠(yuǎn)紅外營養(yǎng)衛(wèi)生巾和衛(wèi)生護(hù)墊功能體芯片的制備方法，其特征在于：所述第3)步的工藝流程為：對于水刺無紡布采用浸軋工藝，工藝流程依次為：浸軋、預(yù)烘和焙烘；浸軋：使用上述的珍珠整理液，用浸軋的方式對水刺無紡布進(jìn)行處理，采用二浸二軋或一浸一軋兩次，軋液率為80％；預(yù)烘：溫度95～100℃，烘至正常含潮率6～7％；焙烘：120～130℃，時間為2分鐘，完全干燥。

10.如權(quán)利要求7所述的負(fù)離子遠(yuǎn)紅外營養(yǎng)衛(wèi)生巾和衛(wèi)生護(hù)墊功能體芯片的制備方法，其特征在于：所述第3)步的工藝流程為：對于針刺無紡布采用噴灑工藝，工藝流程依次為：噴灑、預(yù)烘和焙烘；噴灑：使用上述珍珠整理液，用泵加壓將整理液打入噴咀管中，每個噴咀口直徑0.7mm，在180cm幅度上排有16個噴咀，整理液均勻的噴灑在無紡布上；預(yù)烘：使用紅外線，溫度90～100℃，無接觸式烘干；焙烘：針鋏超喂率2％，門幅控劑比成品寬2-3cm，溫度120～130℃，完全干燥。