[發(fā)明專利]內(nèi)部命令產(chǎn)生器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010281092.7
• 申請日: 2010-09-09
• 公開（公告）號: CN102110468A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李圣燮
• 申請（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: G11C11/4193
• 分類號: G11C11/4193
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 錢大勇

相關(guān)申請的交叉引用

本發(fā)明要求2009年12月24日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請：編號10-2009-0131272的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引入在此全部并入。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示范實(shí)施例涉及一種內(nèi)部命令產(chǎn)生器件。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體存儲器件接收外部電壓(VDD)和地電壓(VSS)并且將接收的外部電壓(VDD)和地電壓(VSS)轉(zhuǎn)換為內(nèi)部操作所需的內(nèi)部電壓。用于半導(dǎo)體器件的內(nèi)部操作所需的內(nèi)部電壓的示例包括：提供給核心區(qū)域的核心電壓(VCORE)、提供來驅(qū)動字線的高電壓(VPP)、提供給電容器的板極的單元板電壓(VCP)，以及在預(yù)充電操作期間提供給位線對BL和BLB的位線預(yù)充電電壓(VBLP)。

當(dāng)半導(dǎo)體存儲器件進(jìn)入加電模式(電源斜坡序列)時，內(nèi)部電壓增長直到它順著外部電壓(VDD)電平達(dá)到預(yù)定的電平。因此，在開始諸如讀或?qū)懖僮鞯恼２僮髦靶枰€(wěn)定內(nèi)部電壓的過程。內(nèi)部電壓的穩(wěn)定通過內(nèi)部電壓的持續(xù)使用獲得。因此，典型的SDRAM通過響應(yīng)于輸入的外部刷新命令執(zhí)行刷新操作來穩(wěn)定內(nèi)部電壓。

同時，如在說明書描述的，LPDDR2RAM接收外部復(fù)位命令并且在進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)之后對器件設(shè)置大約10μs的自動初始化時段。和SDRAM一樣，在LPDDR2RAM的器件自動初始化中沒有輸入刷新命令。因此，沒有辦法來穩(wěn)定該內(nèi)部電壓。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體存儲器件的內(nèi)部命令產(chǎn)生器件，其通過產(chǎn)生內(nèi)部刷新命令和執(zhí)行刷新操作來穩(wěn)定內(nèi)部電壓。

在一個實(shí)施例中，內(nèi)部命令產(chǎn)生器件包括：第一標(biāo)記信號產(chǎn)生單元，被配置為響應(yīng)復(fù)位命令來產(chǎn)生用于設(shè)置復(fù)位時段的復(fù)位標(biāo)記信號；初始脈沖信號產(chǎn)生單元，被配置為響應(yīng)該復(fù)位標(biāo)記信號來產(chǎn)生第一初始脈沖信號和第二初始脈沖信號；第二標(biāo)記信號產(chǎn)生單元，被配置為響應(yīng)該第一初始脈沖信號來產(chǎn)生用于設(shè)置器件自動初始化時段的器件自動初始化標(biāo)記信號；和內(nèi)部命令產(chǎn)生單元，被配置為響應(yīng)該第二初始脈沖信號來產(chǎn)生在器件自動初始化時段內(nèi)被使能的內(nèi)部刷新命令。

在另一實(shí)施例中，內(nèi)部命令產(chǎn)生器件包括：第一標(biāo)記信號產(chǎn)生單元，被配置為響應(yīng)復(fù)位命令來產(chǎn)生用于設(shè)置復(fù)位時段的復(fù)位標(biāo)記信號；第一初始脈沖信號產(chǎn)生單元，被配置為響應(yīng)該復(fù)位標(biāo)記信號來產(chǎn)生第一初始脈沖信號；第二標(biāo)記信號產(chǎn)生單元，被配置為響應(yīng)該第一初始脈沖信號來產(chǎn)生用于設(shè)置器件自動初始化時段的器件自動初始化標(biāo)記信號；計(jì)數(shù)單元，被配置為當(dāng)?shù)诙跏济}沖信號產(chǎn)生預(yù)設(shè)數(shù)量的次數(shù)時產(chǎn)生計(jì)數(shù)信號；第二初始脈沖信號產(chǎn)生單元，被配置為響應(yīng)第一初始脈沖信號和內(nèi)部刷新命令產(chǎn)生第二初始脈沖信號，并且配置為響應(yīng)于計(jì)數(shù)信號而停止產(chǎn)生第二初始脈沖信號；和內(nèi)部命令產(chǎn)生單元，被配置為響應(yīng)該第二初始脈沖信號來產(chǎn)生在器件自動初始化時段中的內(nèi)部刷新命令。

附圖說明

通過結(jié)合附圖的以下詳細(xì)描述，上述和其它方面、特征和其他優(yōu)點(diǎn)將更加清楚地理解，其中：

圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的內(nèi)部命令產(chǎn)生器件的框圖。

圖2是說明圖1的第一標(biāo)記信號產(chǎn)生單元的電路圖。

圖3是說明圖1的初始脈沖信號產(chǎn)生單元的電路圖。

圖4是說明圖1的第二標(biāo)記信號產(chǎn)生單元的電路圖。

圖5是說明圖1的內(nèi)部命令產(chǎn)生單元的電路圖。

圖6是說明圖1的內(nèi)部命令產(chǎn)生器件的操作的時序圖。

圖7是說明根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的內(nèi)部命令產(chǎn)生器件的框圖。

圖8是說明圖7的第一標(biāo)記信號產(chǎn)生單元的電路圖。

圖9是說明圖7的第一初始脈沖信號產(chǎn)生單元的電路圖。

圖10是說明圖7的第二標(biāo)記信號產(chǎn)生單元的電路圖。

圖11是說明圖7的第二初始脈沖信號產(chǎn)生單元的電路圖。

圖12是說明圖7的內(nèi)部命令產(chǎn)生單元的電路圖。

圖13是說明圖7的計(jì)數(shù)單元的電路圖。

圖14是說明圖13的第一熔絲信號產(chǎn)生單元的電路圖。

圖15是從圖13的計(jì)數(shù)單元輸出的第一到第三初始計(jì)數(shù)信號的時序圖；以及

圖16是說明圖7的內(nèi)部命令產(chǎn)生器件的操作的時序圖。

具體實(shí)施方式

下文中，將參考附圖描述本發(fā)明的特定實(shí)施例。附圖不必依比例決定且在某些示例中，放大了比例以便清楚地說明本發(fā)明的某個特征。

圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的內(nèi)部命令產(chǎn)生器件的框圖。

參考圖1，內(nèi)部命令產(chǎn)生器件包括第一標(biāo)記信號產(chǎn)生單元1、初始脈沖信號產(chǎn)生單元2、第二標(biāo)記信號產(chǎn)生單元3和內(nèi)部命令產(chǎn)生單元4。