[發(fā)明專利]一種深孔硅刻蝕方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010280087.4 | 申請(qǐng)日： | 2010-09-14 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102398887A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-04-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 凱文·皮爾斯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B81C1/00 | 分類號(hào)： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201201 上海市浦東*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 深孔硅 刻蝕 方法 | ||
1.一種深孔硅刻蝕方法，包括多個(gè)循環(huán)進(jìn)行的刻蝕周期，每個(gè)刻蝕周期包括一個(gè)刻蝕步驟和側(cè)壁保護(hù)步驟，其特征在于：
所述刻蝕步驟供應(yīng)刻蝕反應(yīng)氣體到放置有待刻蝕硅片的反應(yīng)腔，刻蝕硅層并形成開(kāi)口，
所述側(cè)壁保護(hù)步驟供應(yīng)側(cè)壁保護(hù)氣體，其中側(cè)壁保護(hù)氣體包括含硅氣體SiF4和含氧氣體反應(yīng)并沉積在所述開(kāi)口的側(cè)壁和底部形成氧化硅層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深孔硅刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕氣體還包括SF6、NF3之一或其混合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的深孔硅刻蝕方法方法，其特征在于，所述刻蝕氣體還包括CO2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深孔硅刻蝕方法方法，其特征在于，所述刻蝕氣體包括SiF4，在刻蝕步驟到側(cè)壁保護(hù)步驟轉(zhuǎn)換時(shí)提高SiF4的供氣量。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深孔硅刻蝕方法，其特征在于，所述側(cè)壁保護(hù)氣體中的含硅氣體還包括SiH4，其中含氧氣體是氧氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的深孔硅刻蝕方法，其特征在于，所述每個(gè)刻蝕步驟的刻蝕形成的開(kāi)口深度為5-10um。?
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