[發明專利]一種用于外延工藝的光刻對準方法

有效

• 申請號: 201010278703.2
• 申請日: 2010-09-10
• 公開（公告）號: CN102005369A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 朱駿
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種用于外延工藝的光刻對準方法，其特征在于：所述方法包括以下步驟：

步驟1：預先設定外延總厚度值并確定單次外延淀積厚度值；

步驟2：通過染色法確定單次外延淀積厚度值的外延偏移值；

步驟3：根據獲得的所述外延偏移值，修正待刻蝕的對準記號的位置；

步驟4：進行外延淀積、光刻以及刻蝕所述對準記號；

步驟5：判斷所述外延的厚度是否達到預先設定的外延總厚度值，若是，則工藝結束，若否，則轉向步驟4。

2.根據權利要求1所述的用于外延工藝的光刻對準方法，其特征在于：確定單次外延淀積厚度值的方法包括：淀積不同厚度的外延層；使用光刻機對淀積的多個外延層分別進行信號測量，獲得不同外延厚度狀態下的對準誤差；選擇對準誤差的最小值所對應的外延厚度作為單次外延淀積厚度值。

3.根據權利要求1所述的用于外延工藝的光刻對準方法，其特征在于：所述對準記號為光刻機對準標記、套準標記、游標標記、目測標記或線寬測量標記。