[發明專利]帶位線電容檢測的讀出放大器

有效

• 申請號: 201010278626.0
• 申請日: 2010-09-10
• 公開（公告）號: CN101937702A
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 楊光軍
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種帶位線電容檢測的讀出放大器，至少包含：

一位線電容，該位線電容通過一位線連接于存儲單元的漏極；

預充電模塊，連接一預充電控制信號，用于對該位線電容進行充電；

待測電容充電電壓產生電路，連接于該預充電模塊與一選通開關電路之間，用于通過該選通開關電路獲取一不大于一第一基準電壓的位線電容充電電壓，并將該位線電容充電電壓處理后產生一待測電容充電電壓；

選通開關電路，連接于該位線電容之間該待測電容充電電壓產生電路待測電容充電電壓產生電路之間，該選通開關電路選通且該位線電容充電電壓小于該第一基準電壓時，該預充電模塊對該位線電容充電；

基準電容充電電壓產生電路，其利用多個已知的基準電容并聯獲得一基準電容充電電壓；

位線電容檢測電路，其輸入端分別連接至該待測電容充電電壓產生電路與該基準電容充電電壓產生電路，用于對該待測電容充電電壓與該基準電容充電電壓進行比較，并根據比較結果輸出一反饋信號；

鏡像恒流源，其一端連接至該預充電模塊及該待測電容充電電壓產生電路；以及，

輸出電路，連接于該鏡像恒流源的另一端，輸出該存儲單元的信息。

2.如權利要求1所述的帶位線電容檢測的讀出放大器，其特征在于：該待測電容充電電壓產生電路還包括：第一反相比較器與第一NMOS晶體管，該第一反相比較器的正輸入端連接于該第一NMOS晶體管源極，并與該選通開關電路連接，其負輸入端連接于該第一基準電壓，輸出端經反相后連接至該第一NMOS晶體管的柵極，該第一NMOS晶體管的漏極輸出該待測電容充電電壓至該位線電容檢測電路。

3.如權利要求1所述的帶位線電容檢測的讀出放大器，其特征在于，該基準電容充電電壓電路還包括：

基準電容充電電壓產生模塊，包含一第二反相比較器與一第二NMOS晶體管，該第二反相比較器正輸入端連接至該第二NMOS晶體管源極，負輸入端連接至該第一基準電壓，輸出端反相后連接至該第二NMOS晶體管柵極，該第二NMOS晶體管漏極輸出基準電容充電電壓至該位線電容檢測電路；

選通電路，連接于該第二NMOS晶體管的源極；以及

基準電容模組，連接于該選通電路，其由多個已知帶開關的基準電容并聯構成。

4.如權利要求3所述的帶位線電容檢測的讀出放大器，其特征在于，該第一反相比較器與該第二反相比較器的正輸入端均連接一放電模塊。

5.如權利要求2或4所述的帶位線電容檢測的讀出放大器，其特征在于，該位線電容檢測電路還包括：

第三反相比較器，其正輸入端連接該待測電容充電電壓，負輸入端連接一第二基準電壓，輸出端經反相后連接至第一緩沖放大器；

第四反相比較器，其正輸入端連接該基準電容充電電壓，負輸入端連接該第二基準電壓，輸出端經反相后連接至一第二緩沖放大器；

第一緩沖放大器，用于對該第三反相比較器的輸出進行緩沖放大后輸出至一鑒相器第一輸入端；

第二緩沖放大器，用于對該第四反相比較器的輸出進行緩沖放大后輸出至一鑒相器第二輸入端；以及，

鑒相器，用于對該第一輸入端與該第二輸入端的輸入鑒相并比較后輸出該反饋信號。

6.如權利要求5所述的帶位線電容檢測的讀出放大器，其特征在于：該讀出放大器還包含一譯碼器，該譯碼器連接于該基準電容模組，用于將該多個已知帶開關的基準電容譯碼為多個校正信號，并將該多個校正信號輸出至該預充電模塊，以控制該預充電模塊電流的大小。

7.如權利要求6所述的帶位線電容檢測的讀出放大器，其特征在于：在該鏡像恒流源與該待測電容充電電壓產生電路之間，還設置一第一隔離電路，以用于在檢測位線電容時，將該鏡像恒流源斷開。

8.如權利要求6所述的帶位線電容檢測的讀出放大器，其特征在于：在該鏡像恒流源與該輸出電路之間，設置一第二隔離電路。