[發明專利]光電裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201010278226.X
• 申請日: 2010-09-10
• 公開（公告）號: CN102024874A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 明承燁
• 申請（專利權）人: 韓國鐵鋼株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0352
• 代理公司: 北京萬慧達知識產權代理有限公司 11111
• 代理人: 鄔玥;葛強

1.一種光電裝置的制造方法，該制造方法包括以下步驟：

在基板上形成第一電極；

在上述第一電極上形成包括純半導體層的第一單元；

激勵等離子體并對具有不同頻率的施加電壓進行調制，由此在上述第一單元上形成包括交替層壓的多個子層的中間反射膜；

在上述中間反射膜上形成包括純半導體層的第二單元；

在上述第二單元上形成第二電極。

2.根據權利要求1所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：上述電壓包括具有第一頻率的第一電壓和具有高于上述第一頻率的第二頻率的第二電壓；

交替提供上述第一電壓和上述第二電壓，并形成上述中間反射膜。

3.根據權利要求1所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：上述電壓包括具有第一頻率的第一電壓和具有高于上述第一頻率的第二頻率的第二電壓；

持續提供上述第一電壓，反復進行上述第二電壓的提供和切斷，并形成中間反射膜。

4.根據權利要求1、2或3中任一項所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：使包含恒定流量的非硅元素原料氣體流入，并形成上述中間反射膜。

5.根據權利要求4所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：上述非硅元素原料氣體包括氧原料氣體、碳原料氣體或者氮原料氣體。

6.根據權利要求5所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：上述氧原料氣體包括氧或者二氧化碳；

上述碳原料氣體包括CH₄、C₂H₄或者C₂H₂；

上述氮原料氣體包括NH₄、N₂O或者NO。

7.根據權利要求1、2或3中任一項所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：形成包括上述第一單元或者上述第二單元中光入射側單元的氫化n型納米晶硅的n型半導體層后，為了形成上述n型半導體層，在保持流入到反應腔室的原料氣體的流量、基板溫度和工序壓力等的狀態下，將用來形成中間反射膜的非硅元素原料氣體流入到上述反應腔室內。

8.根據權利要求1、2或3中任一項所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：形成上述中間反射膜時，氫流量和硅烷流量隨著沉積時間的變化保持恒定。

9.根據權利要求2所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：提供在上述第一電壓和上述第二電壓之間發生變化的一個周期內，提供上述第一電壓的時間和提供上述第二電壓的時間之比為恒定值。

10.根據權利要求3所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：在提供上述第二電壓和切斷上述第二電壓之間發生變化的一個周期內，提供上述第二電壓和切斷上述第二電壓的時間之比為恒定值。

11.根據權利要求1、2或3中任一項所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：上述中間反射膜通過等離子體化學氣相沉積法形成。

12.根據權利要求2或3所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：上述第一頻率和上述第二頻率為13.56MHz以上。

13.根據權利要求2或3所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：高于上述第一頻率的上述第二頻率為27.12MHz以上。

14.根據權利要求1、2或3中任一項所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：上述第一單元和上述第二單元中，光入射側的單元包括p型半導體層和純半導體層；

上述中間反射膜與上述光入射單元的上述純半導體層接觸而形成。

15.一種光電裝置，包括：

基板；

第一電極，位于上述基板上；

第一單元，位于上述第一電極上，且包括純半導體層；

中間反射膜，位于上述第一單元上，其中，包括通過激勵等離子體并對具有不同頻率的施加電壓進行調制而被交替層壓的具有不同結晶體體積分率的多個子層；

第二單元，位于上述中間反射膜上，且包括純半導體層；

第二電極，位于上述第二單元。

16.根據權利要求15所述的光電裝置，其特征在于：上述中間反射膜包括氫化n型納米晶氧化硅、氫化n型納米晶碳化硅或者氫化n型納米晶氮化硅。