[發(fā)明專利]一種直拉硅單晶棒內(nèi)缺陷的調(diào)節(jié)方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010278052.7
• 申請日: 2010-09-08
• 公開（公告）號: CN102400210A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 戴小林;吳志強;鄧樹軍;崔彬;姜艦;王雅楠;肖清華;張果虎;周旗鋼;屠海令
• 申請（專利權(quán)）人: 北京有色金屬研究總院;有研半導(dǎo)體材料股份有限公司
• 主分類號: C30B15/20
• 分類號: C30B15/20;C30B29/06
• 代理公司: 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100
• 代理人: 郭佩蘭

1.一種直拉硅單晶棒內(nèi)缺陷的調(diào)節(jié)方法，其特征在于：它是通過調(diào)節(jié)位于直拉單晶爐爐室內(nèi)熱場上保溫筒座上設(shè)置的保溫圓桶的數(shù)量、每層的厚度、圓桶的壁厚或它們的組合，從而調(diào)整晶體生長界面的形狀、界面的溫度梯度以及晶體生長速度的方法，達到調(diào)節(jié)直拉硅單晶棒內(nèi)缺陷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直拉硅單晶棒內(nèi)缺陷的調(diào)節(jié)方法，其特征在于：所述的上保溫筒座上開有多個環(huán)形槽，保溫圓桶插在環(huán)形槽內(nèi)，保溫圓桶的數(shù)量為1個或1個以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種直拉硅單晶棒內(nèi)缺陷的調(diào)節(jié)方法，其特征在于：所述的環(huán)形槽的橫斷面形狀為方形或U型。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種直拉硅單晶棒內(nèi)缺陷的調(diào)節(jié)方法，其特征在于：所述環(huán)形槽的橫斷面的寬度W、深度H、圓角R分別為1.5-200毫米、1.5-50毫米、1-50毫米。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種直拉硅單晶棒內(nèi)缺陷的調(diào)節(jié)方法，其特征在于：所述的保溫圓桶的壁厚為1.4-200毫米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種直拉硅單晶棒內(nèi)缺陷的調(diào)節(jié)方法，其特征在于：所述的保溫圓桶的材質(zhì)為鉬、石墨、碳-碳復(fù)合材料、固化碳氈、石墨軟氈或它們的組合。