[發明專利]場效應晶體管

有效

• 申請號: 201010278004.8
• 申請日: 2005-09-29
• 公開（公告）號: CN101969030A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 陳華杰;杜雷斯蒂·奇達姆巴拉奧;吳尚賢;斯德哈薩·潘達;沃納·A·勞施;佐藤力;亨利·K·尤托莫
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司;株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 康建忠

1.一種場效應晶體管(10)，包括：

上覆蓋襯底(17)的單晶半導體區(14)的柵極疊層(29)，所述單晶半導體區(14)具有第一組成；

一對設置在所述柵極疊層(29)的相對側壁上的第一隔離體(32)；

一對主要由具有不同于所述第一組成的第二組成的單晶半導體合金組成的半導體合金區(39)，所述半導體合金區(39)設置在所述柵極疊層(29)的相對側，每一個所述半導體合金區(39)與所述柵極疊層(29)相隔第一距離；以及

分別至少部分設置在所述半導體合金區(39)中的相應一個中的一對源區和漏區(24)，所述源區和所述漏區(24)分別通過所述第一隔離體(32)對中的相應一個與所述柵極疊層(29)間隔開第二距離，所述第二距離不同于所述第一距離。

2.如權利要求1所述的場效應晶體管，其中，所述第二距離比所述第一距離長。

3.如權利要求1所述的場效應晶體管，其中，所述單晶半導體區(14)主要由硅組成，所述半導體合金區(39)主要由硅鍺組成。

4.如權利要求1所述的場效應晶體管，其中，所述半導體合金區(39)至少部分設置在設置于所述單晶半導體區(14)中的溝槽中。

5.如權利要求1所述的場效應晶體管，其中，所述襯底(17)是絕緣體上硅襯底，所述單晶半導體區(14)是設置在所述絕緣體上硅襯底(17)的隱埋氧化物層(18)的上方的單晶硅區。

6.如權利要求5所述的場效應晶體管，其中，所述半導體合金區(39)的底緣(60)距所述單晶硅區(14)的頂面的深度大約為所述隱埋氧化物層(18)的頂部(64)距所述單晶硅區(14)的頂面的深度的80％或者更大。

7.如權利要求6所述的場效應晶體管，其中，所述底緣(60)的所述深度大約為所述隱埋氧化物層(18)的所述頂部(64)的所述深度的90％。

8.如權利要求1所述的場效應晶體管，還包括下伏于所述第一隔離體(32)并且至少部分下伏于所述柵極疊層(29)的擴展區(25)。

9.如權利要求8所述的場效應晶體管，還包括下伏于所述第一隔離體(32)并且至少部分下伏于所述柵極疊層(29)的暈圈區(23)。

10.如權利要求1所述的場效應晶體管，其中，所述柵極疊層(29)的所述側壁被氧化，其中，所述第一隔離體(32)設置在被氧化的側壁(31)上。

11.如權利要求1所述的場效應晶體管，還包括從所述第一隔離體(32)向外橫向設置的第二隔離體(34)。

12.如權利要求11所述的場效應晶體管，還包括上覆蓋所述半導體合金區(39)的硅化物區(40)，所述硅化物區(40)通過所述第一隔離體(32)和所述第二隔離體(34)與所述柵極疊層(29)隔開。

13.如權利要求1所述的場效應晶體管，其中，所述柵極疊層(29)包括柵極硅化物區(28)和多晶半導體區(26)，所述柵極硅化物區(28)上覆蓋所述多晶半導體區(26)并與所述多晶半導體區(26)自對準。

14.如權利要求1所述的場效應晶體管，其中，所述第二距離小于所述第一距離。

15.如權利要求1所述的場效應晶體管，其中，所述單晶半導體合金包含至少兩種半導體材料。

16.一種場效應晶體管(10)，包括：

上覆蓋絕緣體上硅襯底(17)的單晶硅區(14)的柵極疊層(29)；

一對設置在所述柵極疊層(29)的相對側壁上的第一隔離體(32)；

一對主要由單晶硅鍺組成的設置在所述柵極疊層(29)的相對側的硅鍺區(39)，每一個所述硅鍺區(39)與所述柵極疊層(29)相隔第一距離；

分別至少部分設置在所述硅鍺區(39)中的相應一個中的一對源區和漏區(24)，所述源區和所述漏區(24)分別通過所述第一隔離體(32)對中的相應一個與所述柵極疊層(29)間隔開第二距離；以及

硅化物區，所述硅化物區中的至少一個(28)被設置為所述柵極疊層(29)的層，并且所述硅化物區中的至少另一個(40)至少部分上覆蓋所述硅鍺區(39)。