[發明專利]載置臺結構和處理裝置無效
| 申請號: | 201010277922.9 | 申請日: | 2010-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN102013408A | 公開(公告)日: | 2011-04-13 |
| 發明(設計)人: | 田中澄 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 載置臺 結構 處理 裝置 | ||
1.一種載置臺結構,其設置在能夠排氣的處理容器內,用于載置要處理的被處理體,該載置臺結構的特征在于,包括:
由電介質形成的載置臺,其載置并支承所述被處理體,并且設置有加熱所述被處理體的加熱機構;
多個保護支柱管,其從所述處理容器的底部側立起設置,上端部與所述載置臺的下表面接合,并且下端部開放;
加熱器供電棒,其插通于所述保護支柱管內,并且上端部與所述加熱機構連接;
吹掃氣體流通用氣密室,其設置在所述處理容器的底部側,并且與所述保護支柱管內連通;和
惰性氣體供給機構,其向所述吹掃氣體流通用氣密室內供給惰性氣體。
2.如權利要求1所述的載置臺結構,其特征在于:
所述惰性氣體供給機構具有:
向所述吹掃氣體流通用氣密室導入惰性氣體的惰性氣體導入路;和
將導入所述吹掃氣體流通用氣密室的惰性氣體排出的惰性氣體排出路。
3.如權利要求2所述的載置臺結構,其特征在于:
所述惰性氣體排出路被抽真空。
4.如權利要求1至3中任一項所述的載置臺結構,其特征在于:
所述吹掃氣體流通用氣密室與所述加熱器供電棒對應地單獨設置。
5.如權利要求4所述的載置臺結構,其特征在于:
所述各吹掃氣體流通用氣密室是連通的。
6.如權利要求1至5中任一項所述的載置臺結構,其特征在于:
所述加熱機構具有加熱器線,所述加熱器線配置在設于所述載置臺內的加熱器收容空間內。
7.如權利要求6所述的載置臺結構,其特征在于:
所述多個吹掃氣體流通用氣密室經由所述保護支柱管內及所述加熱器收容空間內被連通。
8.如權利要求6或7所述的載置臺結構,其特征在于:
所述加熱器線被同心圓狀地分割為多個區,并且按所述多個區而設置有所述惰性氣體供給機構。
9.如權利要求6或8所述的載置臺結構,其特征在于:
所述加熱器線由從碳線、鎢線、鉬線構成的組中選擇的一種材料形成。
10.一種對被處理體實施處理的處理裝置,其特征在于,包括:
能夠排氣的處理容器;
用于載置所述被處理體的如權利要求1至9中任一項所述的載置臺結構;和
向所述處理容器內供給氣體的氣體供給機構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





