[發(fā)明專利]熒光物質(zhì)、制造熒光物質(zhì)的方法、發(fā)光器件及發(fā)光模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010277528.5 | 申請日： | 2010-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN102191058A | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 岡田葵;福田由美;佐藤高洋;三石巌;松田直壽;平松亮介;石田邦夫 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | C09K11/80 | 分類號： | C09K11/80;C09K11/64;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 楊曉光;于靜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熒光 物質(zhì) 制造 方法 發(fā)光 器件 模塊 | ||
1.一種制造熒光物質(zhì)的方法，所述熒光物質(zhì)在波長范圍為250到500nm的光的激勵下發(fā)射峰值在570到650nm的波長范圍內(nèi)的光，所述方法包括以下步驟：
混合以下項：
包含從包括四價金屬元素的組中選擇的金屬元素M1的化合物，
包含從包括除In(III)和Ga(III)以外的三價金屬元素的組中選擇的金屬元素M2的化合物，
包含從包括除M1、M2、In(III)和Ga(III)以外的金屬元素的組中選擇的金屬元素M的化合物，
包含除任一上述金屬元素以外的發(fā)光中心元素EC的化合物，以及
包含從包括In(III)和Ga(III)的組中選擇的金屬元素L的化合物，
以便制備材料混合物，以及
燒成所述材料混合物。
2.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述金屬元素M1、M2和M分別為Si、Al和Sr。
3.根據(jù)權利要求1的方法，其中所述包含金屬元素L的化合物是氧化物或氮化物。
4.一種熒光物質(zhì)，所述熒光物質(zhì)在波長范圍為250到500nm的光的激勵下發(fā)射峰值在570到650nm的波長范圍內(nèi)的光并且所述熒光物質(zhì)通過以下操作獲得：
混合以下項：
包含從包括四價金屬元素的組中選擇的金屬元素M1的化合物，
包含從包括除In(III)和Ga(III)以外的三價金屬元素的組中選擇的金屬元素M2的化合物，?
包含從包括除M1、M2、In(III)和Ga(III)以外的金屬元素的組中選擇的金屬元素M的化合物，
包含除任一上述金屬元素以外的發(fā)光中心元素EC的化合物，以及
包含從包括In(III)和Ga(III)的組中選擇的金屬元素L的化合物，
以便制備材料混合物，以及
燒成所述材料混合物。
5.一種發(fā)光器件，包括：
發(fā)光元件(S1)，其發(fā)出波長范圍為250到500nm的光；
熒光物質(zhì)(R)，其在所述發(fā)光元件(S1)發(fā)出的光的激勵下發(fā)射峰值在570到650nm的波長范圍內(nèi)的光并且所述熒光物質(zhì)(R)通過以下操作獲得：
混合以下項：
包含從包括四價金屬元素的組中選擇的金屬元素M1的化合物，
包含從包括除In(III)和Ga(III)以外的三價金屬元素的組中選擇的金屬元素M2的化合物，
包含從包括除M1、M2、In(III)和Ga(III)以外的金屬元素的組中選擇的金屬元素M的化合物，
包含除任一上述金屬元素以外的發(fā)光中心元素EC的化合物，以及
包含從包括In(III)和Ga(III)的組中選擇的金屬元素L的化合物，
以便制備材料混合物，以及
燒成所述材料混合物；以及
另一熒光物質(zhì)(G)，其在所述發(fā)光元件(S1)發(fā)出的光的激勵下發(fā)射峰值在430到580nm的波長范圍內(nèi)的光。?
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