[發明專利]選擇性發射極太陽電池的制備方法

有效

• 申請號: 201010277113.8
• 申請日: 2010-09-09
• 公開（公告）號: CN101950780A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: 徐冬星;石勁超
• 申請（專利權）人: 浙江百力達太陽能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 翁若瑩

1.一種選擇性發射極太陽電池的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供一單晶硅片，對單晶硅片表面織構化形成絨面結構；

通過第一絲網印刷網版對上述硅片印刷擴散滲透膜；所述第一絲網印刷網版所印刷的擴散滲透膜遮擋住非電極區，裸露待印刷電極區域，硅片在有滲透膜的非電極受光區域形成輕擴散層，而在沒有滲透膜的待印刷電極區域形成重擴散層；將硅片進行等離子刻蝕去除周邊的PN結，再進行酸洗去除硅片表面的磷硅玻璃和擴散滲透膜；

采用等離子增強化學氣相沉積法在上述硅片的擴散面沉積一層氮化硅薄膜形成鈍化及減反射層；

通過背面電極網版、背面電場網版對上述硅片層的背面依次印刷背電極漿料和背電場漿料，通過第二絲網印刷網版在正面印刷細柵電極和主柵電極漿料后進行燒結，所述第二絲網印刷網版和第一絲網印刷網版圖形設計相反；

燒結后背電極漿料和背電場漿料形成太陽能電池的背面Ag電極和鋁背場，而正面電極漿料則穿過鈍化及減反射層與擴散層接觸，形成具有良好歐姆接觸的太陽能電池的正面Ag電極。

2.如權利要求1所述的選擇性發射極太陽電池的制備方法，其特征在于，所述對單晶硅片表面織構化形成絨面結構包括如下步驟：對單晶硅片進行預清洗，預清洗采用超聲波，并添加一定的清洗去污劑；之后將單晶硅片置于溫度為75-80℃，質量百分比濃度為1%－2%的氫氧化鈉溶液中進行表面織構化工藝，并添加適量制絨催化劑，以在100晶向的硅片表面形成均勻一致的大小在1-3um的“金字塔”狀絨面結構，使表面具有良好的陷光效果。

3.如權利要求1所述的選擇性發射極太陽電池的制備方法，其特征在于，所述輕擴散層方塊電阻在60-80?ohm/□，所述重擴散層方塊電阻在10-20?ohm/□。

4.如權利要求1所述的選擇性發射極太陽電池的制備方法，其特征在于，所述再進行酸洗去除硅片表面的磷硅玻璃和擴散滲透膜包括如下步驟：將擴散后的硅片置于體積百分比為10%左右的氫氟酸溶液中，清洗3-5分鐘將硅片四周的擴散掩蔽膜和擴散時在硅片表面形成的磷硅玻璃去除干凈。

5.如權利要求1所述的選擇性發射極太陽電池的制備方法，其特征在于，所述鈍化及減反射層的厚度為80～85nm，折射率控制為2.05～2.1。

6.如權利要求1所述的選擇性發射極太陽電池的制備方法，其特征在于，所述燒結包括如下步驟：先在200℃～300℃的溫度下烘干，然后在500℃～800℃的氣氛下進行燒結。