[發明專利]陣列納米管型太陽能電池薄膜的制作方法

有效

• 申請號: 201010277037.0
• 申請日: 2010-09-07
• 公開（公告）號: CN102403130A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 葉南輝
• 申請（專利權）人: 葉南輝
• 主分類號: H01G9/04
• 分類號: H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

1.一種陣列納米管型太陽能電池薄膜的制作方法，其特征在于，包含以下步驟：

(a)制備一同指向型硅基板；

(b)在該同指向型硅基板的表面濺鍍出一鍍鈦金屬層以形成一鍍鈦硅基板；

(c)將該鍍鈦硅基板放置于一真空熱處理環境中進行一真空熱處理作業，借以消除該鍍鈦金屬層與該同指向型硅基板間的殘留應力；

(d)將該鍍鈦硅基板放置于一退火熱處理環境中進行一退火熱處理作業，借以使該鍍鈦金屬層轉變成一介在相鈦金屬層；

(e)對該介在相鈦金屬層進行一陽極處理作業，借以使該介在相鈦金屬層轉變成該陣列納米管型太陽能電池薄膜，且該陣列納米管型太陽能電池薄膜的表面具有多個以一密集陣列排列的二氧化鈦(TiO₂)納米管；以及

(f)施加一逆向電壓，使該陣列納米管型太陽能電池薄膜自該同指向型硅基板脫離。

2.如權利要求1所述的陣列納米管型太陽能電池薄膜的制作方法，其特征在于，該同指向型硅基板為一同指向型硅園片。

3.如權利要求1所述的陣列納米管型太陽能電池薄膜的制作方法，其特征在于，該介在相鈦金屬層主要由二氧化鈦銳礦型結晶結構所組成。

4.如權利要求1所述的陣列納米管型太陽能電池薄膜的制作方法，其特征在于，該步驟(b)利用一電漿氣相沉積設備所進行。

5.如權利要求1所述的陣列納米管型太陽能電池薄膜的制作方法，其特征在于，在該步驟(c)中，該真空熱處理環境的壓力為0.01torr，且該真空熱處理環境的溫度為920℃。

6.如權利要求5所述的陣列納米管型太陽能電池薄膜的制作方法，其特征在于，在該步驟(d)中，該退火熱處理環境的溫度為850℃，且該退火熱處理作業維持1小時。

7.如權利要求1所述的陣列納米管型太陽能電池薄膜的制作方法，其特征在于，在該步驟(e)前更包含一步驟(e0)，其是清潔并拋光該鍍鈦金屬層。

8.如權利要求7所述的陣列納米管型太陽能電池薄膜的制作方法，其特征在于，該步驟(e0)是利用一電解拋光作業所完成。

9.如權利要求1所述的陣列納米管型太陽能電池薄膜的制作方法，其特征在于，在該步驟(e)中，是將該介在相鈦金屬層浸入一電解液中，并施加一工作電壓，借以進行該陽極處理作業。

10.如權利要求9所述的陣列納米管型太陽能電池薄膜的制作方法，其特征在于，在該步驟(e)中更包含一步驟(e1)，其是利用一電化學直流極化曲線掃描作業，評估出該工作電壓的一最佳化工作電壓值與該電解液的一最佳化電解液酸堿值。

11.如權利要求10所述的陣列納米管型太陽能電池薄膜的制作方法，其特征在于，在該步驟(e1)中，當該鍍鈦硅基板的面積為2cm×2cm時，該最佳化工作電壓值為10V至20V，且該電解液的調制配方中包含1.2vol.％的氫氟酸以及10vol.％的硫酸。