[發明專利]圓片清洗方法有效
| 申請號: | 201010276870.3 | 申請日: | 2010-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN102403190A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發明(設計)人: | 吳貴財;劉金慧;李強 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 214000 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 清洗 方法 | ||
1.一種圓片清洗方法,其特征在于,依次包括如下步驟:
干法去膠;
氫氟酸漂洗;
濕法去膠。
2.如權利要求1所述的圓片清洗方法,其特征在于,所述氫氟酸漂洗步驟還包括:氫氟酸預處理;傳輸中轉步驟;氫氟酸漂洗;去離子水清洗;烘干。
3.如權利要求1或2所述的圓片清洗方法,其特征在于,所述氫氟酸中水與氟化氫的摩爾比為100∶1。
4.如權利要求2所述的圓片清洗方法,其特征在于,所述氫氟酸漂洗時間為30秒。
5.如權利要求2所述的圓片清洗方法,其特征在于,所述傳輸中轉步驟包括:溢流清洗和熱快速排水清洗步驟。
6.如權利要求5所述的圓片清洗方法,其特征在于,所述溢流清洗和熱快速排水清洗使用去離子水清洗。
7.如權利要求5或6所述的圓片清洗方法,其特征在于,所述溢流清洗和熱快速排水清洗步驟工藝時間為機械手臂交換時間。
8.如權利要求1所述的圓片清洗方法,其特征在于,圓片多晶條呈水平方向分布并與圓片的槽口方向垂直。
9.如權利要求7或8所述的圓片清洗方法,其特征在于,所述溢流清洗中去離子水的流向與多晶條方向垂直。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





