[發(fā)明專利]一種復(fù)合熔鹽電解質(zhì)制備硅的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010276265.6
• 申請(qǐng)日: 2010-09-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101967649A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬文會(huì);秦博;戴永年;陳家輝;楊斌;魏奎先;謝克強(qiáng);劉永成;周陽(yáng);伍繼君;徐寶強(qiáng);劉大春;曲濤;陳建云
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆明理工大學(xué)
• 主分類號(hào): C25B1/00
• 分類號(hào): C25B1/00
• 代理公司: 昆明正原專利代理有限責(zé)任公司 53100
• 代理人: 徐玲菊

1.一種復(fù)合熔鹽電解質(zhì)制備硅的方法，其特征在于以硅石或二氧化硅為原料，CaO-CaCl₂為熔鹽電解質(zhì)，經(jīng)過(guò)下列工藝步驟：

A.在硅石或二氧化硅原料中加入CaO-CaCl₂熔鹽電解質(zhì)至混合物料中SiO₂與CaO的質(zhì)量比為2～30∶1，其中，CaO-CaCl₂熔鹽電解質(zhì)中的CaO質(zhì)量含量是CaO-CaCl₂熔鹽電解質(zhì)質(zhì)量含量的1～15％；

B.將步驟A的混合料混合均勻后，在保護(hù)性氣體環(huán)境中，升溫加熱至600～1000℃進(jìn)行電解還原后，即得到單質(zhì)硅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述步驟B的電解還原是在常規(guī)熔鹽電解設(shè)備中完成的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述步驟B中的保護(hù)性氣體為氬氣、氮?dú)?，并按常?guī)形成保護(hù)性環(huán)境。