[發明專利]一種THz波段氧化釩光開關及其制作方法

無效

• 申請號: 201010276138.6
• 申請日: 2010-09-08
• 公開（公告）號: CN101950092A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: 胡明;陳濤;梁繼然;呂志軍;后順保
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01;H01P1/10;H01P11/00;C23C14/35;C23C14/08
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 溫國林

1.一種THz波段氧化釩光開關，其特征在于，所述氧化釩光開關由氧化釩薄膜構成，所述氧化釩薄膜裝載在太赫茲時域頻譜系統或調制解調器中。

2.一種用于權利要求1所述的THz波段氧化釩光開關的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)利用反應磁控濺射方法在硅襯底材料上制備氧化釩薄膜；

(2)利用太赫茲時域頻譜系統產生THz波，當THz波傳輸時，激光激發所述氧化釩薄膜，使得THz波不能通過所述氧化釩薄膜，實現了所述氧化釩光開關的關閉；

(3)利用所述太赫茲時域頻譜系統產生THz波，當THz波傳輸時，撤掉激光，使得THz波通過氧化釩薄膜，實現了所述氧化釩光開關的開啟。

3.根據權利要求2所述的THz波段氧化釩光開關的制作方法，其特征在于，步驟(1)中所述利用反應磁控濺射方法在硅襯底材料上制備氧化釩薄膜，具體包括：

將硅片切割成1×2cm的襯底，制備硅襯底；

使用超聲波清洗機，將制備的所述硅襯底依次放置于丙酮、無水乙醇中進行清洗；

將清洗后的硅襯底置于超高真空對靶磁控濺射設備的真空室，抽真空至本體真空達到1～2×10^-4Pa；

在所述超高真空對靶磁控濺射設備的真空室內，采用質量純度為99.9％的金屬釩作為靶材，將質量純度為99.99％的氬氣和質量純度為99.99％的氧氣作為工作氣體，濺射工作氣壓為1～2.0Pa，氬氣流量48sccm，氧氣流量0.5～1.0sccm，濺射功率為200W，濺射時間為30～120min，制得氧化釩薄膜。

4.根據權利要求2所述的THz波段氧化釩光開關的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

通過控制所述氧化釩薄膜的厚度來控制所述氧化釩光開關的開關速度。

5.根據權利要求4所述的THz波段氧化釩光開關的制作方法，其特征在于，所述通過控制所述氧化釩薄膜的厚度來控制所述氧化釩光開關的開關速度，具體為：

所述氧化釩薄膜的厚度與所述氧化釩光開關的開關速度成反比。

6.根據權利要求3所述的THz波段氧化釩光開關的制作方法，其特征在于，所述本體真空為2×10^-4Pa，所述濺射工作氣壓為2.0Pa，所述氬氣流量為48sccm，所述氧氣流量為0.8sccm，所述濺射功率為200W，所述濺射時間為30min。