[發(fā)明專利]一種OLED面板多晶硅制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010275417.0
• 申請(qǐng)日: 2010-09-08
• 公開（公告）號(hào): CN101976649A
• 公開（公告）日: 2011-02-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李惠元;徐正勛;高昕偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 四川虹視顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/77
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于有機(jī)發(fā)光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode，OLED)顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active?Matrix/OrganicLight?Emitting?Diode，AMOLED)面板的工藝技術(shù)。

背景技術(shù)

制作AMOLED面板時(shí)，需要在AMOLED面板的各個(gè)像素處制作薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Thin?Film?Transistor，TFT)，TFT的有源層的不同特性決定了AMOLED面板的不同品位。根據(jù)TFT制作時(shí)有源層材料的不同，TFT可分為非晶硅TFT、多晶硅TFT、有機(jī)TFT等。多晶硅TFT相比非晶硅TFT，電子遷移率快約數(shù)十倍至數(shù)百倍，并且具有可以集成在AMOLED面板外部的驅(qū)動(dòng)IC的優(yōu)點(diǎn)，在能夠制作緊湊型器件的同時(shí)，也可以制作高分辨率、高品位的器件。但是。圖1所示，為常見的AMOLED結(jié)構(gòu)，玻璃基板1之上為緩沖層2，緩沖層2的中間位置之上為多晶硅材料的有源層4，緩沖層2的兩邊位置之上為層間絕緣層3，柵極絕緣層9之上為柵極層10，柵極層10之上為層間絕緣層3，除了留出源/漏極數(shù)據(jù)線層5與多晶硅材料的有源層4連接的接觸孔外，層間絕緣層3將緩沖層2、多晶硅有源層4和柵極層10完全覆蓋，層間絕緣層3兩邊位置之上為源/漏極數(shù)據(jù)線層5，源/漏極數(shù)據(jù)線層5通過接觸孔與多晶硅有源層4連接，層間絕緣層3中間位置之上和源/漏極數(shù)據(jù)線層5之上為薄膜封裝層6，薄膜封裝層6之上為陽極層7和保護(hù)層8，薄膜封裝層6除了留出陽極層7與源/漏極數(shù)據(jù)線層5連接的接觸孔外，薄膜封裝層6將源/漏極數(shù)據(jù)線層5完全覆蓋。圖中雖然省略了陰極層、有機(jī)發(fā)光層等其它各層，但是本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員應(yīng)該能夠意識(shí)到這種省略僅僅是為了簡(jiǎn)化繪圖和表達(dá)，并不會(huì)影響到技術(shù)人員對(duì)技術(shù)方案的正確理解，在圖示中，未繪制或描述的各層，是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所公知的，當(dāng)敘述一層位于玻璃基板或是另一層之上或之下時(shí)，此層可直接位于玻璃基板或是另一層之上或之下，或是其間也可具有本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所公知的其它中間層。現(xiàn)有的AMOLED面板的多經(jīng)硅有源層4的制作方法中，多經(jīng)硅有源層4的結(jié)晶化和活性化通過下列步驟完成：如圖1所示，首先在玻璃基板1上制作完成緩沖層2后，在緩沖層2上依次制作非晶硅材料的有源層41(經(jīng)結(jié)晶化處理后成為多晶硅有源層4)、柵極絕緣層5和柵極層6，完成柵極層6的制作后，對(duì)有源層41進(jìn)行離子摻雜注入，最后將玻璃基板1放入到結(jié)晶爐中，同時(shí)完成有源層41的結(jié)晶化和活性化。在此過程中，有源層41結(jié)晶化處理會(huì)引起有源層41在結(jié)晶化前后體積的變化，從而導(dǎo)致氧化物界面和硅界面間的粘合力變差引起TFT特性變差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有的OLED面板的多晶硅有源層4的制作方法的不足，提出了一種OLED面板的制作方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種OLED面板多晶硅制作方法，在制作形成柵極絕緣層和柵極金屬層前，包括如下步驟：

(1)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗之后，通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)在其上沉積氧化硅(SiOx)緩沖層；

(2)利用低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)往玻璃基板上沉積一定厚度的非晶硅形成非晶硅層；

(3)對(duì)玻璃基板進(jìn)行光刻前清洗，并在非晶硅層上均勻涂布一定厚度的光刻膠層；

(4)對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光并顯影；

(5)對(duì)顯影后的玻璃基板進(jìn)行硅刻蝕得到非晶硅有源層；

(6)在光刻膠剝離液中進(jìn)行光刻膠的剝離；

(7)對(duì)基板進(jìn)行清洗，通過濺射方法蒸鍍一定厚度的鎳；

(8)將基板放入結(jié)晶爐中通過金屬橫向誘導(dǎo)法(MILC)進(jìn)行低溫多晶硅結(jié)晶化處理形成多晶硅材料的有源層4；

(9)在硫酸：雙氧水混合液中進(jìn)行鎳去除工藝消除鎳。

在制作完成多晶硅材料的有源層后，還包括步驟：

(10)通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)進(jìn)行氧化硅(SiOx)柵極絕緣層沉積；

(11)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗，并通過濺射方法蒸鍍柵極金屬層；

(12)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗后，進(jìn)行柵極金屬層光刻工藝，涂布光刻膠，并進(jìn)行曝光、顯影；

(13)進(jìn)行柵極金屬層刻蝕工藝；

(14)進(jìn)行柵極絕緣層干刻蝕工藝；

(15)對(duì)玻璃基板1進(jìn)行清洗之后對(duì)與源/漏極數(shù)據(jù)線層相連的有源層兩端進(jìn)行離子摻雜；

(16)對(duì)多晶硅有源層進(jìn)行活性化處理；

(17)對(duì)玻璃基板進(jìn)行清洗之后，通過等離子提高化學(xué)氣相沉積進(jìn)行層間絕緣層沉積；