[發明專利]半導體發光元件有效
| 申請號： | 201010275293.6 | 申請日： | 2010-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN102194955A | 公開（公告）日： | 2011-09-21 |
| 發明（設計）人： | 伊藤俊秀;橘浩一;布上真也 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝 |
| 主分類號： | H01L33/40 | 分類號： | H01L33/40;H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 陳海紅;周春燕 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 發光 元件 | ||
【權利要求書】：
1.一種元件，其特征在于，具有：
基板；
在前述基板上形成的n型半導體層；
在前述n型半導體層上形成的有源層；
在前述有源層上形成的、最上部是p型GaN層的p型半導體層；
在前述p型GaN層上形成的ITON(氧氮化銦錫)層；
在前述ITON層上形成的ITO(氧化銦錫)層；
在前述ITO層上的一部分形成的第1金屬電極；以及
與前述n型半導體層連接而形成的第2金屬電極。
2.根據權利要求1所述的元件，其特征在于：
前述p型GaN層與前述ITON層的肖特基勢壘高度大于等于2.0eV小于等于3.2eV。
3.根據權利要求1所述的元件，其特征在于：
前述ITON層的折射率大于等于2.11小于等于2.34。
4.根據權利要求3所述的元件，其特征在于：
前述ITO層的膜厚大于等于130nm小于等于170nm；
前述ITON層與前述ITO層的總膜厚大于等于240nm小于等于310nm。
5.根據權利要求1所述的元件，其特征在于：
前述ITON層內的氮濃度，從與前述p型GaN層的界面朝向與前述ITO層的界面降低。
6.根據權利要求1所述的元件，其特征在于：
前述基板是藍寶石基板。
7.根據權利要求1所述的元件，其特征在于：
前述n型半導體層具有n型GaN層。
8.根據權利要求1所述的元件，其特征在于：
前述有源層是InAlGaN的勢壘層與InGaN的量子阱層的層疊結構。
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